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onsemi FGH4L40T120LQD IGBTは要求の転換の適用の優秀な性能を提供する強い超視野絞りの堀の構造である。このIGBTは低い前方電圧の柔らかく、速い共同包まれた惰性で動くダイオードである装置に組み込まれる。FGH4L40T120LQD IGBTは両方低いオン州の電圧および最低の転換の損失を提供する。このIGBTは175°C最高の接合部温度で作動する。FGH4L40T120LQD IGBTは1200V、40Aで作動し、TO247 4Lのパッケージで造られる。典型的な適用は太陽インバーターおよびUPS、産業切換えおよび溶接含んでいる。