MOSFET トランジスタ NVMFS5C646NLWFAFT1G 高性能超低電圧 FET
型式番号:NVMFS5C646NLWFAFT1G
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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Shenzhen China
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NVMFS5C646NLWFAFT1G MOSFET パワー エレクトロニクス
製品説明：
NVMFS5C646NLWFAFT1G は、優れた電力効率と信頼性を実現するように設計された高性能 MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。この N チャネル MOSFET は、電力変換、モーター制御、信号調整などのさまざまなアプリケーションでの使用に適しています。統合された高電圧ゲートと統合されたボディダイオードで構成されているため、高出力アプリケーションでの使用が可能になります。優れたオン抵抗と低いゲート電荷を備えたこのデバイスは、さまざまなシステムにおいて優れた電力効率と信頼性を提供します。
特徴：
-高性能MOSFETパワーエレクトロニクス
-統合された高電圧ゲート
-内蔵ボディダイオード
-優れたオン抵抗
-低いゲート電荷
- 多種多様なシステム
アプリケーション:
-電力変換
-モーター制御
-信号調整
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.7ミリオーム @ 50A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 33.7 nC @ 10 V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2164 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3.7W(Ta)、79W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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MOSFET トランジスタ NVMFS5C646NLWFAFT1G 高性能超低電圧 FET
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