半導体モスフェット

金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ Mosfet力トランジスター記述 -30V/-60AR DS （） = 4.8mΩ （typ。）@V GS =-10VR DS （） = 6.8mΩ （typ。）@V GS =-4.5V信頼でき、険しい利用できるハロゲン.........

穴を通ってTO-247-4 IMZA65R030M1H 離散半導体MOSFET トランジスタ IMZA65R030M1Hの製品説明 IMZA65R030M1Hデバイスは,バッテリー駆動アプリケーションやバッテリー管理システムに最適です. IMZA65R030M1Hの仕様 部品番号:.........

IRFB3207ZPBF MOSFETのトランジスターCA3020A TGS2600分離した半導体 適用 SMPSの高性能の同期改正 無停電電源装置 高速力の切換え 懸命に転換された高周波回路 利点 改良されたゲート、なだれおよび動的dv/dtの険しさ 十分に特.........

私達はhttps://www.henkochips.comを要求するために専門の電子部品のディストリビューターSTF24NM60Nを、私達に要求引用を送るためにSTF24NM60NPIRCEおよび調達期間供給しても、いい。10+百万利用できる電子部品の一般品目を使うと短いリードタイム、のための在庫の......

製品説明: Silicon Carbide MOSFET is a type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) that has been developed to optimize the perform......

太陽光インバーター半導体のための産業用耐久性高い電力MOSFET 製品説明: リンクソン製中国ではこのMOSFETは新品で未使用で 品質と耐久性を保証しています 半導体産業のリーダーとして MOSFETとして,この製品は伝統的なトランジスタスイッチに比べていくつかの利点を提供しています. MOS........

離散半導体 IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET 製品説明: MOSFETOptiMOSTM5 パワートランジスタ,100V 特徴: •高周波スイッチとシンクレスの理想•Nチャンネル,通常のレベル•FOMOSS に最適化•RDS (オン)•175° 協力温度•Pbフリ......

プロダクト リスト:IR2104STRPBF 製品タイプ:半導体ICの破片 パッケージのタイプ:STRPBF 記述:IR2104STRPBFは高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。参照したN-c.........

ON 半導体IC FDC5614P MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SSOT-6 トラ.........

オン・セミコンダクターのMOSFETsはオン州の抵抗の間を最小にするように提供する険しく、信頼できる、速い転換の性能を設計されていた。その最高の電力損失は300 MWである。プロダクトの最高の下水管の源の電圧は60ボルトであり、ゲート源電圧は±20 V.である。このMOSFETは-55°Cに150.......

SIHF10N40D-E3力のmosfets Nチャネルのトランジスターは強化モードで作動する VishayのSIHF10N40D-E3の最高の電力損失は33000 MWである。このNチャネルMOSFETのトランジスターは強化モードで作動する。 このMOSFETのトランジスターに-55 °Cの最低.......

製品の説明IRF1404ZPBF Nチャネルのトランジスター180A 200W HEXFET FET MOSFET 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したIRF1404ZPBFのトランジスターN-Channel 180A 200W N-Channel 180A （穴TO-......

NVMFS5C430NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN 分離した半導体製品は電子回路に単一機能を、改正のような、拡大行う、または切換えを、含める電子部品。分離した半導体製品のある共通の例はダイオード、トランジスターおよびサイリスタが含まれている。分離した半導体......

APT10090BLL マイクロチップ技術 MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS 製造者: マイクロチップ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケー.........

FDMC510P Pチャネル20V力MOSFET 2.3W 41Wの表面の台紙8-MLP 概説 このPチャネルMOSFETはフェアチャイルドの半導体のRDS （）、転換の性能および険しさのために最大限に活用された進められた力のTrench®プロセスを使用して作り出されます。.........

補足のケイ素力トランジスター 電界効果トランジスタ 半導体 MJ15025G PNP の− MJ15023、MJ15025* ケイ素力トランジスター MJ15023 および MJ15025 は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用の.........

分離した半導体の塗布のための高性能MOSFETTO-247-3パッケージのonsemiからのSuperFET FCH47N6の導入 あなたの分離した半導体の必要性のための強力な、信頼できるMOSFETを捜すことか。onsemiからのSuperFET FCH47N6よりそれ以上に見てはいけない.........

MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル 製品範囲 MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOh.........