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IRF1404ZPBFトランジスタNチャネル180A200WスルーホールTO-220ABHEXFET FETMOSFET
Nチャネル180A（Tc）200W（Tc）スルーホールTO-220AB仕様：
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カテゴリー
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ディスクリート半導体製品
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トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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製造元
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インフィニオンテクノロジーズ
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シリーズ
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HEXFET®
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パッケージ
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チューブ
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FETタイプ
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Nチャネル
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テクノロジー
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MOSFET（金属酸化物）
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ドレインからソースへの電圧（Vdss）
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40 V
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電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
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180A（Tc）
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駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
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10V
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Rds On（Max）@ Id、Vgs
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3.7mオーム@ 75A、10V
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Vgs（th）（Max）@ Id
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4V @ 250µA
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ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
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150 nC @ 10 V
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Vgs（最大）
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±20V
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入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
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4340 pF @ 25 V
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FET機能
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-
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消費電力（最大）
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200W（Tc）
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作動温度
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-55°C〜175°C（TJ）
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取付タイプ
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スルーホール
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/ケース
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TO-220-3
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基本製品番号
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IRF1404
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説明
このHEXFET®パワーMOSFETは、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を非常に低く抑えています。
この製品の追加機能は、175°Cの接合部動作温度、高速スイッチング速度、および改善された繰り返しアバランシェ定格です。これらの機能を組み合わせることで、この設計はさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスになります。
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RhoHSステータス | ROHS3準拠 |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1（無制限） |
| REACHステータス | 影響を受けないリーチ |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| 部品番号 | IRF1404ZPBF |
| ベース部品番号 | IRF1404 |
| EUのRoHS | 免税に準拠 |
| ECCN（米国） | EAR99 |
| 部品ステータス | アクティブ |
| HTS | 8541.29.00.95 |
