semiconductor devices and their applications

製品範囲 IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布 MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220 Appの特徴 非.........

LM3429MH/NOPB LM3429MHX/NOPB力の半導体デバイスLEDの運転者IC 1特徴 ·LM3429-Q1はAEC-Q100等級1修飾したのためにである自動車適用4.5Vからの75ボルトへのVRange調節可能な現在の感覚の電圧高側の現在の感知2-Ωの1-AピークMos.........

TO-263-4分離した半導体デバイスの電子部品CSD19536KTT 速い細部 型式番号: CSD19536KTT タイプ: 集積回路 原産地: 広東省、中国 銘柄: すべて 記述: 分離した半導体製品.........

半導体デバイスの信頼性のテストのためのHastの気候上の部屋 半導体デバイスの信頼性の試験的応用のためのHastの気候上の部屋: 飽和させたタイプPCTのテストの部屋/カスタマイズされた高圧飽和させたPCTテスト機械は多層サーキット ボード、ICのシーリング パッケージ、圧力.........

パワー半導体デバイス ブラシレスモーター用ハイパワーMOSFET 特徴 • 高速スイッチング ・低いオン抵抗 • 低いゲート電荷 • 100% シングルパルスアバランシェエネルギーテスト アプリケーション • 高効率スイッチ ・モーター駆動.........

高温環境における高功率装置の耐熱性 製品説明: 高功率半導体 ハイパワー半導体 (HPC) は,近代技術の高い要求を満たすために設計された最先端の電力電子モジュールです.この製品は,中国の国家軍事標準に構築されています.安定したプロセスと信頼性の高い品質を保証し,軍事アプリケーションの厳格な要件........

バキューム堆積炉は,炭素-炭素複合材料の準備に使用される.堆積炉は主にグラフィートの表面にピロリティカルカーボンコーティングを準備するために使用されます半導体装置と耐熱スクール材料 適用範囲: グラフィット 半導体装置 耐熱スクーリング材料 1基本パラメータ: 1) 設計温度: 1250.........

4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、 アプリケーション領域 1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキー ダイオード、 JFET、BJT、PiNのダイオード、IGBT、MOS.........

6MBP30VSC060-50 全新 オリジナルIC ストック プロ BOM サプライヤー 現貨品 情報をここで検索します.xlsx 製品属性 Features •600V-10A 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for ga........

半導体装置,LED,サファイア・ウェーファー付き高温電子機器の好ましい選択 高性能アプリケーションのための究極のソリューションです 卓越した精度と耐久性を 超高品質のサファイア・ウェーファーで 実現する熱安定性厳しい環境で非常に信頼性が要求されるアプリケーションのゴールドスタンダードです. ザ.........

AEC-Q101奉仕 の 背景半導体ディスクリートデバイスは,消費者電子機器,工業電子機器,コンピュータ,ネットワーク通信,LEDディスプレイ,その他の分野で広く使用されています.自動車の電子機器が知能へと発展するにつれて新エネルギー自動車の爆発的な増加自動車用電子製品における半導体離散装置の適用は......

プロダクト リスト: IRFB61N15DPBF MOSFET 製品の機能: •N-Channel力MOSFET •最高の下水管の源の電圧:600V •最高のゲート源電圧:±20V •最高の連続的な下水管の流れ:61A.........

製品説明: 離散半導体 (discrete semiconductor) は,様々な電子回路設計で使用される半導体装置の一種である.ほぼすべての電子装置の構築に不可欠な部品である.シンプルな電卓から 複雑なコンピュータシステムへ離散半導体は,ショットキー,1ペア共通カソード,ダイオード配列などの........

自動チップ転送 鋳造 性能パラメータ: ● 模具の閉じる圧力: 98~1764kN ● 注射圧:4.9〜30kN 調節可能 ●適用可能なリードフレーム/基板サイズ:幅20~90mm,長さ100~300mm,厚さ0.15~1.2mm ● 適用可能な鋳造材料のサイズ:直径 φ 11-20mm,長さ/........

2inch 4iinch 6Inchのサファイアはサファイアの基質のサファイアの窓のサファイアのウエファーにAlNの型板のAlNのフィルムを基づかせていた 適用の AlNの型板 ケイ素 ベースの半導体技術は限界に達し、未来の条件を満たすことができなかった 電子デバイス。典型的な一種の3.........

TEXAS INSTRUMENTS/ナショナル TMS320F28335PGFA ICチップ統合回路 TMS320F28335,TMS320F28334,TMS320F28333,TMS320F28332,TMS320F28235,TMS320F28234およびTMS320F28232デバイスは........

半導体 シリコン・ウェーファー 磨き アルミナ 磨き粉 半導体産業では,アルミニウム粉末の応用範囲は非常に広い.半導体装置の性能と信頼性を確保するために,ウエファー表面の平準化プロセスに磨き粉を使用する金属加工の分野では,鋳鉄,鉄鋼,ステンレス鋼などの様々な材料を磨くのに適しています. .........

最もよい質Bt134-600eのあなたの手を得なさいあなたの電子必要性のための根本的な解決法を発見しなさい 信頼でき、耐久の半導体デバイスを捜せば、Bt134-600eはあなたの完全な選択である。この装置はあらゆる電子適用に無比の性能を提供するように設計されている。それはそれを使用の広い範囲.........

分離した半導体NTH4L060N065SC1 TO-247-4 MOSFET 特徴: •タイプ。RDS （） = 44のm @ VGS = 18ボルト タイプ。RDS （） = 60のm @ VGS = 15ボルト•超低いゲート充満（QG （幼児） = 74 NC）•低いキャパシタン.........