半導体デバイスのための2inch 3inch Dia100m 4H-Nのタイプ炭化ケイ素のウエファーの生産の等級

型式番号:4inch--N、4H-semi

原産地:中国

最低順序量:1pcs

受渡し時間:10短い期間

包装の細部:、単一のウエファーの容器のカセットのクラス100のクリーンルームの環境で包まれる

供給の能力:100pcs/months

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

確認済みサプライヤー

Shanghai Shanghai China

住所：部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード清浦地区上海市,中国 /201799

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 13 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、

アプリケーション領域

1つの高周波および高い発電の電子デバイスのショットキーダイオード、

JFET、BJT、PiNのダイオード、IGBT、MOSFET

2つの光電子工学装置:GaN/SiC青いLEDの基質材料（GaN/SiC）で主にLED使用されて

Advantagement

•低い格子不適当な組み合わせ
•高い熱伝導性
•低い電力の消費
•優秀で一時的な特徴
•高いバンドギャップ

炭化ケイ素SiCの水晶基質のウエファーのカーボランダム

炭化ケイ素の物質的な特性

製品名:

炭化ケイ素（SiC）の水晶基質

製品の説明:

2-6inch

技術的な変数:

指定:

6H Nタイプ4H Nタイプのsemi-insulating dia2 「x0.33mm、dia2」x0.43mm、dia2 " x1mmt、10x10mm、10x5mmの単一の投球または二重投球、RA <10a>

標準的な包装:

1000クリーンルーム、100きれいな袋か単一箱の包装

2. 基質は標準の大きさで分類する

4インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
等級		ゼロMPDの等級	生産の等級	研究の等級	模造の等級
直径		100.0 mm±0.5 mm
厚さ		350 μm±25μm （200-500um厚さはまた良い）
ウエファーのオリエンテーション		軸線を離れて:軸線の <1120> 4H-N/4H-SIのための±0.5°の方の4.0°: <0001>6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SIのための±0.5°
Micropipe密度		≤1 cm-2	≤5 cm-2	≤15 cm-2	≤50 cm-2
抵抗	4H-N	0.015~0.028 Ω•cm
	6H-N	0.02~0.1 Ω•cm
	4/6H-SI	≥1E5 Ω·cm
第一次平たい箱および長さ		{10-10} ±5.0°、32.5 mm±2.0 mm
二次平らな長さ		18.0mm±2.0 mm
二次平らなオリエンテーション		上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から
端の排除		3つのmm
TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤25μm/≤40μm
荒さ		ポーランドRa≤1 nm、CMP Ra≤0.5 nm
高輝度ライトでひび		どれも		1弾の割り当てられる、≤2 mm	累積長さの≤ 10mm、単一length≤2mm

高輝度ライトによる六角形の版		累積区域≤1%		累積区域≤1%	累積区域≤3%
高輝度ライトによるPolytype区域		どれも		累積区域≤2%	累積区域≤5%
高輝度ライトによる傷		1×wafer直径の累積長さへの3つの傷		1×wafer直径の累積長さへの5つの傷	1×wafer直径の累積長さへの5つの傷
端の破片		どれも		3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ	5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ
高輝度ライトによる汚染		どれも