6インチのサファイアは5G BAW装置サファイアのウエファーのサファイアの窓のためのAlNの型板のウエファーを基づかせていた

型式番号:2inch AlNサファイア
原産地:中国
最低順序量:5pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:50PCS/Month
受渡し時間:30days
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Shanghai Shanghai China
住所: 部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細 会社概要
製品詳細

2inch 4iinch 6Inchのサファイアはサファイアの基質のサファイアの窓のサファイアのウエファーにAlNの型板のAlNのフィルムを基づかせていた

 

適用の  AlNの型板
ケイ素 ベースの半導体技術は限界に達し、未来の条件を満たすことができなかった
電子デバイス。典型的な一種の3rd/4th生成の半導体材料として、窒化アルミニウム(AlN)は持っている
広いbandgap、高い熱伝導性のような優秀で物理的な、化学特性は、高い故障ファイルした、
高い電子移動性および腐食/放射抵抗は、および光電子工学装置のための完全な基質である、
無線周波数(RF)装置、強力な/高周波電子デバイス、等…特に、AlNの基質はである
UV-LED、紫外線探知器の紫外線レーザー、5G強力な/高周波RF装置のための最もよい候補者および5G SAW/BAW
環境保護で広く使用できる装置、電子工学、無線コミュニケーション、印刷、
生物学、ヘルスケアの、軍および他の分野、紫外線浄化/殺菌のような、紫外線治癒のphotocatalysis、counか。
terfeitの検出、高密度貯蔵、医学のphototherapy、薬剤の発見の、無線およびセキュア コミュニケーション、
宇宙航空/深スペース検出および他の分野。
私達は製造するために専有プロセスおよび技術の連続開発した
AlNの良質の型板。現在、私達のOEMはだれが2-6インチAlNを作り出すことができるか世界的に唯一の会社である
爆発性に会う2020年に300,000部分の容量の大規模な工業生産の機能の型板
UVC-LED、5G無線コミュニケーション、紫外線探知器およびセンサー等からの市場の需要
 
  私達のOEMは専有技術のそして芸術PVTの成長リアクターおよび設備状態の連続に開発した
AlNの良質の単一の結晶のウエファー、AlNのtemlpatesの異なったサイズを製造しなさい。私達は少数のworld-leadingの1才である
ハイテク企業自身の完全なAlNの製作のcapaか。AlNの良質のboulesおよびウエファーを作り出し、提供するべきbilities
profesか。成長のリアクターおよびhotzoneの設計から整理される私達の顧客へのsionalサービスそしてターンキー解決
の結晶成長模倣およびシミュレーション、プロセス設計および最適化、
wafering、物質的なcharacterizaか。tion。2019年4月まで、それらは27以上のパテントを適用した(を含むPCT)。
 
             指定
 
CHのaracteristic指定

 

他のrelaterd 4INCH GaNの型板の指定

 

 

     
 GaN/のAlの₂ Oの₃の基質(4") 4inch
項目Un-dopedNタイプ

高添加される

Nタイプ

サイズ(mm)Φ100.0±0.5 (4")
基質の構造サファイア(0001)のGaN
SurfaceFinished(標準:SSPの選択:DSP)
厚さ(μm)4.5±0.5;20±2;カスタマイズされる
伝導のタイプUn-dopedNタイプ高添加されたNタイプ
抵抗(Ω·cm) (300K)≤0.5≤0.05≤0.01
GaNの厚さの均等性
 
≤±10% (4")
転位密度(cm-2)
 
≤5×108
使用可能な表面積>90%
パッケージクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。
 

結晶構造

ウルツ鉱

格子定数(Å)a=3.112、c=4.982
伝導帯のタイプ直接bandgap
密度(g/cm3)3.23
表面のmicrohardness (Knoopテスト)800
融点(℃)2750 (N2の10-100棒)
熱伝導性(W/m·K)320
バンド ギャップ エネルギー(eV)6.28
電子移動度(V·s/cm2)1100
電気故障分野(MV/cm)11.7

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6インチのサファイアは5G BAW装置サファイアのウエファーのサファイアの窓のためのAlNの型板のウエファーを基づかせていた

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