STP110N8F6 Mosfetの適用を転換するための分離した半導体デバイス

型式番号:STP110N8F6
最低順序量:交渉可能
支払の言葉:T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:在庫数 41128 個
受渡し時間:交渉可能
プロダクト モデル:STP110N8F6
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住所: COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO王ST MONGKOKKL
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 16 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細
製品範囲
  • IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布
  • MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220
Appの特徴
  • 非常に低いオン抵抗
  • まさに低いゲート充満
  • 高いなだれの険しさ
  • 低いゲート ドライブ電源切れ
  • この装置は新しい堀のゲートの構造とのSTripFET™ F6の技術を使用してN-channel力MOSFET成長したである。生じる力MOSFETはすべてのパッケージの非常に低いRDSを()表わす。
基本データ
製品特質属性値
STMicroelectronics
製品カテゴリ:MOSFET
RoHS:細部
Si
穴を通して
TO-220-3
N-Channel
1つのチャネル
80ボルト
110 A
6.5のmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
2.5 V
150 NC
- 55 C
+ 175 C
200 W
強化
STripFET
ブランド:STMicroelectronics
構成:単一
落下時間:48 ns
高さ:15.75 mm
長さ:10.4 mm
製品タイプ:MOSFET
上昇時間:61 ns
シリーズ:STP110N8F6
1000
下位範疇:MOSFETs
トランジスター タイプ:1つのN-Channel力MOSFET
典型的なTurn-Off遅れ時間:162 ns
典型的なTurn-On遅れ時間:24 ns
幅:4.6 mm
単位重量:0.068784 oz
ダウンロードのデータ用紙
  • N-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、TO-220パッケージのSTripFET™ F6力MOSFET
適用
  • 転換の適用
  • BLDCモーター
  • 三相永久マグネット同期電動機
  • インバーター
  • 半分橋運転者
  • ロボティック制御システム
  • 電気器具
  • 格子下部組織
  • EPOS•家のtheate
  • 分散パワー系統
  • コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
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破片の図表

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STP110N8F6 Mosfetの適用を転換するための分離した半導体デバイス

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