rfのトランジスター

BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ RFトランジスタ 製造者: ダイオード 製品カテゴリー: Pチャネル強化 RoHS について 詳細 マウントスタイル: - パッケージ/ケース: 16NSOP パッケージ: スタンダード 単位重量: - オ.........

部分番号:BFP420H6327XTSA1 製品概要:についてBFP420H6327XTSA1高性能なNPN RFトランジスタこのコンポーネントは,低騒音値,高増幅,コンパクトパッケージでの高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています. 主要な特徴: タイプ: NPN RFトラ.........

FLM0910-25F RF力トランジスターXバンド内部的に一致させたFET 記述 FLM0910-25Fはmatchedfor 50Ωsystemの最適力そして利益を提供する標準的なコミュニケーション バンド内部的にある力GaAs FETです 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG......

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ワイヤレス通信モジュール QPD0007 単経路 5GHz 20W 48V GaN RFトランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [.........

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TXtelsig YP242434 Wifi RFのアンプ2.4GHz 802.11b/g/n WLANの電力増幅器 YP242434はInGaP信頼性が高い/GaAs HBTの技術に基づく強力な、高直線性の電力増幅器である。それは極度のパワー加えられた効率と強力な、高直線性の適用のために2.4........

力IRFP260 MOSFETのトランジスターとあなたの電子工学のプロジェクトのためのIRFP260の賛否両論の鍵を開けなさい あなたの電子工学のプロジェクトで使用するために強力なMOSFETのトランジスターを捜せばIRFP260モデルを考慮したいと思うかもしれない。この強力な半導体デバイス.........

SSM6N48FU、RF （Dの指定 部分の状態 時代遅れ FETのタイプ...

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

Innotion オリジナル RF VCO 8dBm 615MHZ-950MHz 統合回路チップYSGM060808の電圧制御オシレーター 製品説明 YSGM060808は高度に統合された標準パッケージサイズVCOであり,高出力および良好な隔離性を持つ振動チューブとして高切断周波数RFトラ.........

VISHAY IC S525T-GS08 表面実装 SOT-223 S525T 製品パラメータ メーカー: Vishay 製品カテゴリ: RF MOSFETトランジスタ トランジスタ極性: Nチャネル......

PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力であるトランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。それは1つ......

PXAC241702FC-V1-R250 RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスターRFP-LD10M 記述ThePXAC241702FCは2300から2400の......

水晶からなされる水晶発振子の共鳴器RFフィルター 水晶発振子（SMD）では、通常の活動的な発振器は4つのピンを備え、差動水晶発振子は6つのピンを備えている。完全な発振器は、水晶に加えてあったり、そこにトランジスターおよび抵抗キャパシタンス要素である。水晶発振子は別名活動的な水晶発振子である、.........

製品パラメータ 頻度 900MHz 利益 47dBm サイズ 37.3*112*19.5mm パワー 50W パワーフラットネス 1〜1.5dB 供給電流 2.4A 動作温度 --20~+80°C 接続ライン RED:DC24-32Vブラック:GND.........

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RFトランジスタ 2 NPN (ダブル) 10V 35mA 8GHz 200mW 表面マウント SOT-363...