150W RF MOSFETの金属酸化膜半導体RFP-LD10M PXAC241702FC-V1-R250

PXAC241702FC-V1-R250 RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスターRFP-LD10M

                                                    記述
ThePXAC241702FCは2300から2400のMHzの周波数帯域のmulti-standard細胞電力増幅器の塗布の使用のために意図されているasymのメートル設計の28 V LDMOS FETである。特徴はearlessフランジが付いている二重道の設計の、高利得のおよび熱高められたパッケージを含んでいる。Wolfspeedの高度LDMOSプロセスと製造されて、この装置は優秀な熱性能および優秀な信頼性を提供する。

すべての出版されたデータのTCASE = 25°C特に明記しない限りESD:敏感な静電放電は注意を扱うことを装置観察する!4600ケイ素 ドライブ|ダラムは、NC 27703 03の2018-07-03PXAC241702FCパッケージ高い発電RF LDMOS FET150 W、28ボルト、2300 – 2400 MHzFeatures --をH 37248 4Thermally高めた•Dohertyの非対称的な設計-本管:P1dB = 60のWのタイプ ピーク:P1dB = 90のWのタイプ•広帯域内部入出力一致•典型的な脈打ったCWの性能、2350のMHz、28ボルトのDoherty構成-でP1dB = 100つのW-の効率= 49%出力電力-利益= 17.5のdB•統合されたESDの保護:人体モデル、クラス1C （JESD22-A114ごとに）•10:1 VSWR @28 V、出力電力120 W （CW）を扱うことができる•低い熱抵抗•complian PbなしおよびRoHS

Q1. パッキングのあなたの言葉は何であるか。

:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰める。

法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙を得た後あなたの決め付けられた箱の商品を詰めてもいい。

Q2. あなたのMOQは何であるか。

:私達は各項目に小さいMOQ、それをあなたの特定の順序依存する提供する!

Q3. 配達の前にあなたの商品をすべてテストするか、または点検するか。

:はい、私達に100%テストがあり、配達の前にすべての商品を点検する。

Q4:いかに私達のビジネスを長期におよびよい関係するか。

私達は良質を保ち、私達の顧客を保障する競争価格は寄与する;

私達は誠意をこめて私達の友人および私達がビジネスをし、それらのそれを持つ友人を作るために取り替えることができる何かではないのであらゆる顧客を尊重する。

Q5:私達に連絡する方法か。
:下のあなたの照会の細部、かちりと言う音を今「送る"!送りなさい!!

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