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パワーモスフェット操作

1 - 20 の結果 パワーモスフェット操作 から 4330 製品

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Time : Dec,24,2023
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高い発電MOSFET ATP113のP-Channel力MOSFET、-60V、-35A、29.5mΩ [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学(香港)のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサー.........

Time : Nov,24,2024
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IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

Time : Nov,28,2024
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集積回路の破片FDBL9403-F085T6力MOSFETの単一のN-Channelのトランジスター FDBL9403-F085T6の製品の説明 FDBL9403-F085T6はMOSFET -力、単一のN-Channel、通行料40 V、0.95 mの300のAのトランジスタ.........

Time : Nov,30,2024
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Time : Nov,19,2019
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2N60-TC3力MOSFET 2A、600V Nチャネル力MOSFET 記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通.........

Time : May,30,2024
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力MOSFETのオリジナルの集積回路IPT020N10N5ATMA1 製品の説明 必要なより少ない平行になること 増加された出力密度 減らされた転換および伝導の損失 製品仕様書 部品番号: IPT020N10N5ATMA.........

Time : Dec,09,2024
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IR21094STRPBFの高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) (S)は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一.........

Time : Dec,09,2024
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JY21L 高低の側面の運転者 概説プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V.........

Time : Mar,18,2025
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JUYI Tech JY09M Nチャネル増強MOS IC TO-220 70V90A パワーモスフェット * * * * JY09Mの詳細情報を得るために私たちと連絡してください,ありがとう! JY09Mは高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し 低ゲート充電でオン抵抗を削減し.........

Time : Mar,05,2026
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プロダクト細部 包装 管 部分の状態活動的 FETのタイプN-Channel 技術MOSFET (金属酸化物) 流出させなさいに源の電圧(Vdss)100V 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C72A (Tc) ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)10V (最高) @ ID、VgsのRds.......

Time : Dec,02,2024
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超低 0.0015andOmega; 超低 0.0015andOmega; 超低 0.0015andOmega; 超低 0.0015andOmega; 超低 0.0015andOmega; 超低 0.0015andOmega; 超低 0.0015andOmega; 超低 0.0015andOmega......

Time : Dec,26,2025
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製品の説明 Infineon HEXFET力MOSFET Nチャネル55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBFインフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR HEXFET MOSFETのN-Channel 55V 30A DPAKの分離した半導.........

Time : Dec,09,2024
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限られる優秀な総合システムは(限られるEIS) NTHD3100CT1Gの専門のストッキングのディストリビューター-オン・セミコンダクター-動力を与えますMOSFET 20 V、+3.9 A/−4.4 A、.........

Time : Aug,18,2014
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常動電源モードでの全電源出力 70~100% 長持ちするLED照明のために 製品説明 出力 159.9W 出力電流 3300mA 出力電圧 60V 入力電圧 90-305VAC 効率性 93% サイズ 151.5x60mm ((DxH) 梱包 1.25キロ8 について.........

Time : Feb,10,2026
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Infineon MOSFET N CH 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3はInfineonの第3一連の600V CoolMOS™ C3のためのCoolMOS™の取り替えであるCoolMOS™ P7 600V CoolMOS™ C3であ......

Time : Apr,26,2023
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