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力mosfetのアンプ

1 - 20 の結果 力mosfetのアンプ から 386 製品

演算増幅器力Mosfetのトランジスター/一般目的mosfet LM741H、500 MW 概説 LM741シリーズはLM709のような業界標準上の改善された性能を特色にする一般目的の演算増幅器である。それらは709Cのための直接の、差込式の取り替え、ほとんどの適用のLM201、MC143.........

Time : Jan,05,2026
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Time : Dec,24,2023
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高い発電NPNのエピタキシアル平面の両極トランジスターd1047 b817 製品の説明 記述装置は新しいビットLA (線形アンプのための両極トランジスター)の技術を使用して製造されたNPNのトランジスターである。生じるトランジスターよい利益直線性の行動を示す。 特徴- 高い絶縁破壊電圧VCEO =.......

Time : Dec,02,2024
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IRFI4019HG-117P 190AパワーMOSFET 100V 超低Rds(on) 1.9mΩ TO-264 高効率 堅牢な性能 優れた熱管理と高電力密度、要求の厳しい用途向け 特徴 統合ハーフブリッジパッケージ 部品数を半分に削減 より良いPCBレ.........

Time : Dec,26,2025
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IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

Time : Nov,28,2024
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Time : Nov,19,2019
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2N60-TC3力MOSFET 2A、600V Nチャネル力MOSFET 記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通.........

Time : May,30,2024
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IR21094STRPBFの高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) (S)は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一.........

Time : Dec,09,2024
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クラス TD が付いている生きているでき事スイッチ モード高い発電のオーディオ・アンプ 速い細部: 2 チャネル スイッチ モード アンプ、2x900W @ 8Ωの安定性が高いよい音質 記述: この頃は、専門の健全な企業で、ますます人々は軽量、高い発電の出力および高性能のアンプのために追求しています......

Time : Apr,28,2017
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JUYI Tech JY09M Nチャネル増強MOS IC TO-220 70V90A パワーモスフェット * * * * JY09Mの詳細情報を得るために私たちと連絡してください,ありがとう! JY09Mは高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し 低ゲート充電でオン抵抗を削減し.........

Time : Mar,05,2026
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Danteの議定書4チャネルのステレオDSP Dante力のミキサーのアンプが付いている高い発電600Wのミキサーのアンプ 記述: 4チャネルDSPのデジタル電力増幅器は3.97インチ色TFTの抵抗のタッチ画面 モジュールおよび可聴周波処理モジュールで構成される。4チャネルの釣り合った出力に相.........

Time : Dec,09,2024
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Kuバンド12GHz RF電力増幅器PAのRFの電力増幅器モジュール VBE RFの電力増幅器モジュールIntrodutions: 無線周波数信号の源、無線周波数の電力増幅器(PA)、低雑音のアンプ(LNA)、無線周波数の屋外の単位(ODU)およびカスタマイズされた無.........

Time : Dec,09,2024
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4オームのTD1600 CLASS-TDの高い発電3Uのアンプ.2300Wx2 RMS、8オームの1600Wx2 RMS。高性能95%まで。素晴らしい熱放射システム。長続きがする仕事の安定性の指定は4Ω 5200Wで8Ω 4600Wで8Ω 1600Wx2で出力電力4Ω 2300Wx2のステレオで出力......

Time : Jun,09,2023
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穴HiP247を通した1200V MOSFET SCTWA50N120のN-Channelの炭化ケイ素力MOSFET SCTWA50N120の製品の説明 SCTWA50N120炭化ケイ素力MOSFET 1200 V、65 Aの59 mΩ (タイプ。、HiP247™の長い鉛のパッ.........

Time : Jun,11,2025
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角のスピーカー15W EOC IP PAのネットワーク システムのデジタル強力なアンプが付いている円形の可聴周波角のスピーカーに動力を与えて下さい 特徴: ネットワークのホーン・スピーカーはネットワークの可聴周波解読のデジタル アンプと統合しました。 産業等級の高速二重中心(腕.........

Time : May,30,2024
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力MOSFETのオリジナルの集積回路IPT020N10N5ATMA1 製品の説明 必要なより少ない平行になること 増加された出力密度 減らされた転換および伝導の損失 製品仕様書 部品番号: IPT020N10N5ATMA.........

Time : Dec,09,2024
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SZHUAHSI 100% 新品 40W 5725-5850MHz PA 無線信号電源増幅器 RF増幅器 モジュールリピエーター 電力平坦性1dB 製品説明 YPM5840Bは,5725-5850MHz信号専用のワイヤレス信号遮蔽モジュールである.このモジュールは,平均的な出力高さと帯平さの優.........

Time : Mar,06,2026
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CATV 64は1550nm高い発電のJDSUポンプJZEYDFA主な特長との光学アンプEDFA WDMを左舷に取る:■高性能:多重モードの高い発電の隆起レーザー、940nmおよび980nm二重隆起レーザーの低雑音、低いゆがみ、広帯域の、高出力力、適度な最大限に活用された力ソフトウェア、EDFAの最......

Time : Aug,07,2020
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