p mos transistor

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統合回路チップ IXBH10N300HV 3000V モノリティックバイポーラ MOS トランジスタ 180W 製品説明IXBH10N300HV IXBH10N300HVは高電圧,高加益の BIMOSFETTM モノリシックバイポーラ MOS トランジスタです. 仕様IXBH10N300H.........

FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター プロダクト概観 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 Mosfetの配列2のN-Channel （二重）非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1.........

電界効果トランジスタの破片の分離した半導体回路の保護IPD060N03LGATMA1 製品範囲 OptiMOSª3か。パワー トランジスター、MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 基本データ 製品特質 属性値 製造業.........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

TK13A60D （STA4、Q、M）東芝の電界効果トランジスタ13A 600V 0.33オームのN-Channel MOS 東芝の電界効果トランジスタのケイ素NチャネルMOSのタイプ 適用 転換の電圧安定器 記述 東芝π MOSのVII MOSFETsは10Vゲート ドライブ、π MOS.........

IC 3 Pin のトランジスター 2SK3797 MOS の電界効果トランジスタの在庫の提供 2SK3797 電界効果トランジスタのケイ素 N チャネル MOS のタイプ 切換え調整装置の塗布 • 抵抗の低い下水管源: RDS （） = 0.32Ω.........

高電圧MOSゲートトランジスタ 製品説明: 高電圧MOSFETは,組み込みFRDを持つ超高電圧MOSゲートトランジスタで,タイプNです.モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションなどに広く使用されています..新しい横変形ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造.........

ダイオードの三極管MOS/PNP/NPNのコンデンサーの抵抗器TrのためのShopifyのdropship TC1のトランジスター テスターのマルティメーターの表示TFT 製品の説明: これは費用efectiveおよび広く利用されたトランジスター探知器である。（NPNおよびPNPのト.........

RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

800V CoolMOSª P7力トランジスターIPA80R1K4P7 MOSの管 特徴•最高にクラスのFOM RDS （） * Eoss;減らされたQg、CissおよびCoss•最高にクラスのDPAK RDS （）•3Vの最高にクラスのV （GS）のThおよび±0.5Vの.........

1つのMOSの管のデジタル出力の最高4AI/2AOタイプCのHMI PLCすべてHMIのダウンロードの港 命名規則 1. シリーズQM3G:QM3G-FHシリーズ 2. HMI 43FH:4.3inch 50FH:5inch 70FH/70HD/70KFH:7inch 100FH:10inch 3. ......

TC1797-512F180EF AC集積回路の破片NPNのトランジスターMOSのダイオード元の電子BGAの部品SAK-TC1797-512F1 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜.......

耐久性シリコンカービッド半導体 高性能トランジスタ SiC MOS 多機能 製品説明: 抵抗が低いため,シリコンカービッドMOSFETはより高い周波数でより少ない電力損失で動作することができ,効率が向上します.これは,高出力が必要とするアプリケーションのための理想的な選択です電気自動車や工.........

私達の店からの良質および現実的なP40T15GU MOSFETを経験しなさい利用できる元のNCEP40T15G P40T15GU分野効果の管MOS DFN5X6-8L 40V-150A今! あなたの電子プロジェクトのための信頼できるMOSFETを捜すことか。私達の店よりそれ以上に見てはいけな.........

Size Silicon Transistor D2PAK Electric赤ん坊の印王のタバコ機械部品 トランジスターは電気信号および電力を増幅するか、または転換するのに使用される半導体デバイスである。トランジスターは現代電子工学の基礎部品構造の1つである。それは外的な回路への関係のための.........

SVF840F SILAN 8A 500V高圧MOSの管 記述: SVF840F/D/S/MJのN-channelの強化モード高圧力MOSの電界効果トランジスタそれはSilanのマイクロエレクトロニクスのF細胞TM平面の高圧VDMOSの加工技術を使用して製造される。高度技術およ.........

FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片 製品の説明 部品番号FDB2614はフェアチャイルドによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多く.........