FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片
型式番号:FDB2614
最低順序量:>=1pcs
供給の能力:Day+pcs+2-3daysごとの30000のエーカー/エーカー
受渡し時間:2-3Days
包装の細部:ロールテープ（TR） シャーバンド（CT）
原産地:中国
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製品詳細
会社概要
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FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片
製品の説明
部品番号FDB2614はフェアチャイルドによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。
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プロダクト特性
プロダクト状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET （金属酸化物） |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 200ボルト |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 62A （Tc） |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
（最高） @ ID、VgsのRds | 27mOhm @ 31A、10V |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 5V @ 250µA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 99 NC @ 10ボルト |
Vgs （最高） | ±30V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 7230 pF @ 25ボルト |
FETの特徴 | - |
電力損失（最高） | 260W （Tc） |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | Dの²朴（TO-263） |
パッケージ/場合 | TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB |
基礎プロダクト数 | FDB261 |
FDB2614 TO-263 MOSの電界効果トランジスタの真新しく、オリジナルの集積回路の破片
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