回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1

モデル番号:IPD060N03LGATMA1
最低順序量:交渉可能
支払の言葉:T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:利用できる量300000部分
受渡し時間:すぐに出荷できる
プロダクト モデル:IPD060N03LGATMA1
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住所: COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO王ST MONGKOKKL
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 16 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

電界効果トランジスタの破片の分離した半導体回路の保護IPD060N03LGATMA1


製品範囲
  • OptiMOSª3か。パワー トランジスター、MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
基本データ

製品特質属性値
Infineon
製品カテゴリ:MOSFET
RoHS:細部
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1つのチャネル
30ボルト
50 A
6つのmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
2.2 V
14.4のNC
- 55 C
+ 175 C
56 W
強化
OptiMOS
巻き枠
テープを切りなさい
ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
構成:単一
落下時間:3 ns
前方相互コンダクタンス-分:34 S
高さ:2.3 mm
長さ:6.5 mm
製品タイプ:MOSFET
上昇時間:3 ns
シリーズ:OptiMOS 3
2500
下位範疇:MOSFETs
トランジスター タイプ:1つのN-Channel
典型的なTurn-Off遅れ時間:20 ns
典型的なTurn-On遅れ時間:5 ns
幅:6.22 mm
部分#別名:IPD060N03L G SP000680632
単位重量:0.011640 oz
適用
  • 転換の適用
  • BLDCモーター
  • 三相永久マグネット同期電動機
  • インバーター
  • 半分橋運転者
  • ロボティック制御システム
  • 電気器具
  • 格子下部組織
  • EPOS•家のtheate
  • 分散パワー系統
  • コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
ダウンロードのデータ用紙
  • IPD060N03LGATMA1電界効果トランジスタの破片の分離した半導体回路の保護
順序プロセス

RFQの形態に部品を加えなさいRFQを堤出しなさい私達は24時間以内に答える
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AOZ1050AI
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破片の図表

China 回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1 supplier

回路保護力Mosのトランジスター破片IPD060N03LGATMA1

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