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3 年
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製品の説明
部品番号FDB2614はフェアチャイルドによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。
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プロダクト特性
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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200ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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62A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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27mOhm @ 31A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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99 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±30V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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7230 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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260W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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Dの²朴（TO-263）
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パッケージ/場合
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TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB
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基礎プロダクト数
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FDB261
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