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nand and nor flash

1 - 20 の結果 nand and nor flash から 61 製品

SM662PEF BESSのフラッシュ-否定論履積(TLC)の記憶IC EMMC 100-BGA (14x18) Mfr Silicon Motion、Inc。 シリーズ FerrieMM...

Time : Nov,25,2024
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64GB EMMC TLC ナンドフラッシュ 128GB 256GB マザーボード産業制御コンピュータ用 EMMCIA/IH EMMC5.1 仕様 モデル G2564GTLIA G25128TLIA について G25256TLIA G25512TLIA NANDフラッシュ 3DT.........

Time : Jul,12,2025
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MT29F4G08ABADAWP-IT:D メモリICチップ 4Gbit フラッシュ NAND メモリIC 48TFSOP 製品説明MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:Dは 4Gbit パラレルフラッシュ - NAND メモリー IC,非揮発性.........

Time : Apr,21,2025
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U8 U8-RBQ03 工業用USBフラッシュドライブ,eUSBモジュール,MCPおよびDoBストレージソリューションのためのHyperstone USB 2.0 NANDフラッシュコントローラ 記述: U8 USB 2.0 NAND フラッシュコントローラ U8-RBQ03工業用USBフラ.........

Time : Jun,22,2025
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否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP 製品範囲 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP 32Gbの非同期/同期否定論履積の特徴の Appの特徴 開いた否定論履積.........

Time : Nov,26,2024
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製品詳細 [トシバ] 2GBIT (256M u 8BITS) CMOS ナンド E2PROM 記述TH58NVG1S3Aは単一の3.3V2Gビット (2,214,592NAND 電動消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ (NAND E2PROM) (2048+64) バ.........

Time : Dec,05,2024
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FMC NAND/Flashの記憶基質の製造の支持 適用:ICのパッケージ、半導体のパッケージ、UDP/USBプロダクト、記憶電子工学、NAND/Flashの記憶、否定論履積のフラッシュ・メモリ カード、スマートなモバイル機器、ノートのPC; Spec.ofの基質の生産: Mini.Li.........

Time : Nov,23,2024
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ミクロンIC否定論履積のフラッシュの集積回路はMT29F1G08ABADAWP-ITを分けます:D ミクロンICのフラッシュ1GBIT 48TSOP MT29F1G08ABADAWPのメモリー チップ 導入: プロセスおよび設計のミクロンの進行中の革新は工業一流20nm.........

Time : Jun,13,2025
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マイクロン100% オリジナルIC 電子部品 MT41K256M16TW-107 集積回路IC チップ MT41K25 電子部品 MT41K256M16TW-107 マイクロン 機密および所有 2Gb: x8,x16 NAND フラッシュメモリ 機能 N AND フラッシュメモリ,.........

Time : Dec,06,2024
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TH58NVG3S0HTAI0B4A フラッシュ - NAND (SLC) メモリIC 8Gbit パラレル 25 ns 48-TSOP I カテゴリー 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 Mfr キオキシア・アメリカ・インク シリーズ -.........

Time : May,02,2025
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W29N01HVSINA否定論履積のフラッシュ・メモリECC 1Gbit 2.7Vへの3.6V 35mA 128M x 8 TSOP-48 指定 製品特質 属性値 様式の取付け: SMD/SMT 記憶容量: 1 Gbit.........

Time : Nov,28,2024
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良質の管理委員会の抜け目がない破片:29F2G08ABAEA SLC否定論履積抜け目がない平行3.3V元および確実な29F2G08ABAEA記憶 あなたのデータを貯え、保護するように設計されている私達の良質の抜け目がない破片29F2G08ABAEAを持つあなたの管理委員会を改善しなさい。.........

Time : Nov,30,2024
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8 GB、1ビットECC、×8入力/出力、3ボルトVCCの埋め込まれるのための否定論履積のフラッシュ・メモリ 概説Cypress S34ML08G1 8 GB否定論履積は3.3 VCCwith x8入力/出力インターフェイスで提供されます。この文書はのための情報を含んでいます2 S34ML0.........

Time : May,29,2024
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製品説明: Samsung ElectronicsのK9K8G08U0D-SCB0は、メモリチップ内のslc nandフラッシュパラレル3.3v 8gビット1g x 8 25ns 48ピンtsop-iです。 プログラマブルICチップは、幅広い用途を持つ集積回路電子部品の一種です。プログラミン.........

Time : Jul,01,2025
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W25N01GVZEIG 1Gビット連続否定論履積フラッシュ、3V 在庫の他の電子部品のリスト BCM53212MIPBG BROAD...

Time : Nov,24,2024
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4G LTE CPE ルータ 3000mah バッテリー, 256Mbit+128Mbit Nand Flash,ASR1803シリーズ CPU と ASR5803 ID名: マジックキューブ MF201Pro サイズ: 76mm * 76mm * 78mm (内蔵アンテナ).........

Time : Jul,08,2025
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広範囲のフラッシュ・メモリの試験制度高低の温度によって加速される老化する部屋 製品仕様書 フラッシュ・メモリの破片の理性的な試験制度HD-512-NANDはテスト計画をカスタマイズし、さまざまなタイプのフラッシュ・メモリの粒子の平行テストを支えることができる広範囲のフラッシュ・メモリの試.........

Time : May,09,2025
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Winbond Elec W29N01HVSINA TSOP-48否定論履積のフラッシュ・メモリIC 記憶ICはデータおよびプログラム コードを貯えるように設計されている集積回路である。それは普通メモリ セル、住所デコーダーおよび感覚のアンプのような部品の範囲を、含んでいる。 記憶IC共.........

Time : Nov,29,2024
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MTFC16GAPALBH-AIT IC 電子部品 eMMC NAND フラッシュ メモリ 製品説明 部品番号MTFC16GAPALBH-AITによって製造されていますミクロンAYE 社が販売し、販売しています。電子製品の大手販売代理店の 1 つとして、当社は.........

Time : Nov,29,2024
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