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広範囲のフラッシュ・メモリの試験制度高低の温度によって加速される老化する部屋
製品仕様書
フラッシュ・メモリの破片の理性的な試験制度HD-512-NANDはテスト計画をカスタマイズし、さまざまなタイプのフラッシュ・メモリの粒子の平行テストを支えることができる広範囲のフラッシュ・メモリの試験制度である。64のタイプは、フラッシュ・メモリの粒子の並行してテストの最大数512に達することができる。
フラッシュ・メモリの破片の理性的な試験制度YC-512-NANDは多数のテスト パターンおよび注文テスト変数機能を支え、高い柔軟性をだけでなく、できるフラッシュ・メモリの粒子の余命、実際の測定、データ保持を実現1かちりと言う音基本的なテスト プロセスおよび高レベルテスト プロセスに与え、干渉および他の機能テストを読むことはまたユーザーがフラッシュ・メモリの粒子の信頼性の状態を確認するのを助けることができる。テストが完了した後、テスト レポートは最も直観的で、最も正確で写実的なテスト データを顧客に与える1つのキーと速くそしてすぐに輸出するためにことができる。最も直観的なデータ参照をフラッシュ・メモリの粒子の等級の分類そして適用に提供し、フラッシュ・メモリの粒子の質の点検結果に基づいて理性的な分類を実現しなさい。
※はJEDECの立場No.218にテスト基礎従う:ソリッド ステート技術連合B-2016ソリッド ステート ドライブ（SSD）条件および耐久試験Motho;
※はJEDEC標準的なNo.47 NVCEにテスト基礎従う:集積回路のソリッド ステート技術連合の圧力テスト主導の資格;
※はテスト ボードの設計指定産業等級テスト温度の環境の条件を満たす;
情報
| 内部箱のサイズ | W760×D400×H890mm |
| 外箱のサイズ | W1870×D890×H1830mm |
| 容積 | 270L |
| 開始方法 | 単一のドア（開けなさい右の） |
| 冷却方法 | air-cooled |
| 重量 | 950KGについて |
| 電源 | AC 380V約7.5 KW |
温度変数
| 温度較差 | -70℃~150℃ |
| 温度の変動 |
≤±0.5℃ ≤±1℃ |
| 温度のオフセット | ≤±2℃ |
| 温度の決断 | 0.01℃ |
| 暖房率 | 5℃/min （標準的な負荷の下の機械冷却、） |
| 温度変化率 |
高温は低温非線形0℃~2℃/minに会うことができる5℃~8℃/min非線形調節可能に（、標準的な負荷の下で空気出口、機械冷凍で測定されて）会うことができる 調節可能（、正常な負荷の下で空気出口、機械冷却で測定されて） |
| 温度の均等性 | ≤±2℃ |
| 標準的な負荷 | 10KGアルミニウム ブロック、500W負荷; |
テスト標準
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GB/T5170.2-2008温度の試験装置
GB/2423.1-2008 （IEC60068-2-1:2007年の）低温テスト方法AB。
GB/2423.2-2008 （IEC60068-2-2:2007年の）高温テスト方法BA。
GJBl50.3 （MIL-STD-810D）高温テスト方法。
GJBl50.4 （MIL-STD-810D）低温テスト方法。 |
制御システム
| 表示 | 色LCDの表示 |
| 操作モード | プログラム モード、固定価値モード |
| 設定 | 中国および英国メニュー（任意）、タッチ画面の入力 |
| 範囲の配置 | 温度:装置（上限+5°Cの低限-5°C）の温度の働きの範囲に従って調節しなさい |
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表示決断 |
温度:0.01°C 時間:0.01min |
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制御方式 |
BTCはバランスをとった温度調整方法+ DCC （理性的な冷却制御）の+ DEC （理性的な電気制御） （温度の試験装置） BTHCは温度および湿気の制御方式+ DCC （理性的な冷却制御）の+ DEC （理性的な電気制御）バランスをとった（温度および湿気の試験装置） |
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カーブの記録機能 |
それに価値を見本抽出し、装置の時を見本抽出する設定値を救うことができる電池の保護のRAMがある、;最高の記録タイムは（サンプリング周期が1.5min時） 350日である |
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付属機能 |
敏速な機能を処理する警報および原因を非難しなさい パワー保護機能 上部および下の限界温度の保護機能 カレンダーのタイミング機能（自動開始および自動は操作を停止する） 自己診断機能 |
