製品カテゴリ

データ収集IC

[7]

企業との接触

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

ウェブサイトにアクセスします

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MissZhao

表示連絡先の詳細

企業との接触

TH58NVG3S0HTAI0 ICフラッシュ 8GBIT PARALLEL 48TSOP I キオキシア・アメリカ,インク

最新の価格を尋ねる

モデル番号 :オーケストラ・ロバート

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :フラッシュ

テクノロジー :フラッシュ-否定論履積（SLC）

記憶容量 :8ギガビット

記憶構成 :1G×8

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :25ns

アクセス時間 :25 ns

電圧 - 供給 :2.7V~3.6V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :48-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅）

供給者のデバイスパッケージ :48-TSOP I

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

製品詳細

[トシバ]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS ナンド E2PROM

記述

TH58NVG1S3Aは単一の3.3V2Gビット (2,214,592NAND 電動消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ (NAND E2PROM) (2048+64) バイト×64ページ×2048ブロックに分類.デバイスは,プログラムと読み込みデータを登録とメモリセル配列の間に2112バイトの増幅で転送することを可能にする2112バイトの静的レジスタを持っています消去操作は単一のブロックユニット (128Kbyte + 4Kbyte: 2112バイト x 64ページ) で実行されます.
TH58NVG1S3Aは,アドレスとデータ入力/出力,コマンド入力の両方にI/Oピンを使用するシリアル型メモリデバイスである.消去とプログラム操作は自動的に実行され,固体ファイルストレージなどのアプリケーションに最も適したデバイスになります静止カメラや高密度非揮発性メモリデータストレージを必要とする他のシステムのための画像ファイルメモリ

特徴

• 組織
メモリセルアレイ 2112 u 64K u 8 u 2
登録 2112 u 8
ページサイズ 2112バイト
ブロックサイズ (128K 4K) バイト
• モード
読み取り,リセット,自動ページプログラム
オートブロック消去,ステータス読み取り
• モード制御
シリアル入力輸出
コマンドコントロール
•電源 VCC 2.7V から 3.6V
プログラム/消去サイクル 1E5サイクル (ECC付き)
• アクセス時間
セルアレイを最大25μsで記録する
シリアル読み込みサイクル 50 ns min
■ 稼働電流
読み込み (50 ns サイクル) 10 mA typ.
プログラム (平均) 10mAタイプ
消去 (平均) 10mAタイプ
待機状態 50 μA 最大
• パッケージ
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((体重:0.53gタイプ.)

仕様

属性	属性値
製造者	トシバ
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレー
パッケージケース	48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル/シリアル
電圧供給	2.7V~3.6V
供給者デバイスパッケージ	48-TSOP I
記憶容量	8G (1G x 8)
メモリタイプ	EEPROM - NAND
スピード	25ns
フォーマットメモリ	EEPROM - シリアル I/O データバス

記述

NANDフラッシュパラレル 3.3V 8Gビット 1G x 8

EEPROM 3.3V, 8Gbit CMOS NAND EEPROM

お問い合わせカート 0