nチャネルトランジスタ

TIP120 Npn 高周波トリオードトランジスタ MOSFET Nチャネルトランジスタ 150V 104A TO220AB TIP120 製品パラメータ 製造者: スタンダード パッケージ: トューブ 製品カテゴリー: MOSFET ブランド: 標準.........

J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ 製造者: フェアチャイルド 製品カテゴリー: JFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-92 トランジス.........

元のPチャネルのトランジスター/高圧トランジスター50P06D TO-252 Pチャネルのトランジスター記述 50P06D使用高度の堀優秀なR DSを提供する技術（）そして低いゲート充満。この装置はありますとしてまたは使用負荷スイッチのために適したPWMの適用 Pチャネルのトラン.........

N-ChannelのトランジスターTW015N65CのS1Fの集積回路の破片TO-247-3のトランジスター TW015N65C、S1Fの製品の説明 TW015N65C、S1Fは穴TO-247を通ってN-Channel 650 V 100A （Tc）の342W （Tc）トランジスター、であ.........

MOSFETは16のチャネルのトランジスター モジュールNPN/PNPがトランジスターの応答の速度によってが速いDC24Vを入れた4 6 8 12を出力した。切換えの問題がありし、4回を回す秒。オートメーション装置は1分の200以上のプロダクトを作り出さなければならない。この速度は達成されなければな......

NTMD4840NR2G MOSFET NFET SO8 30V N -チャネルのトランジスター MOSFET –、N-Channel二重、力SOIC-8 30 V、7.5 A 特徴•伝導の損失を最小にする低いRDS （） •運転者の損失を最小にする低いキャパシタンス •転換の損.........

FDS6699SのトランジスターMOSの管NチャネルSOIC-8 製品の説明: 1.プロダクト モデル:FDS6699S 2.記述: MOSFET 3. FDS6699SのトランジスターMOSFET Nチャネル21 A 30 V 3.6 MoHM 10ボルト1.4 V 4.極端.........

製品の説明IRF1404ZPBF Nチャネルのトランジスター180A 200W HEXFET FET MOSFET 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したIRF1404ZPBFのトランジスターN-Channel 180A 200W N-Channel 180A （穴TO-......

BSS123LT1G SOT23の小さい信号は100V 170mA Nチャネルのトランジスターを中継で送る BSS123LT1G SOT23はFET MOSFET 100V 170mAのN-Channelを高めた 製造業者: onsemi.........

SIHF10N40D-E3力のmosfets Nチャネルのトランジスターは強化モードで作動する VishayのSIHF10N40D-E3の最高の電力損失は33000 MWである。このNチャネルMOSFETのトランジスターは強化モードで作動する。 このMOSFETのトランジスターに-55 °Cの最低.......

MRF151G RF力の分野効果のトランジスター500W、50Vの175MHz NチャネルBLF278のための広帯域MOSFETの取り替え 特徴 1の175のMHz、50ボルトの保証された性能 2、出力電力— 300 W•利益— 14 dB （16 dB Typ） 3の効率— 50%•低い熱抵抗— ......

NTK 3134 NT5G MOSFETのパワー エレクトロニクスSOT-723の高い発電のN-Channelのトランジスター塗布 FETのタイプ N-Channel...

プロダクト細部 包装管部分の状態活動的FETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）200V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C130A （Tc）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V（最高） @ ID、VgsのRds9.7 mOhm......

IRFR7440TRPBF IC 電子部品 Nチャネルトランジスタチューブ 製品説明 格付け値を超えた −40°Cから+105°Cの温度 部品番号IRFR7440TRPBF製造されたものインフィニオン電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多くの電子部品を.........

高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2P.........

FQPF4N65C - N-Channel MOSFETのトランジスター有効な力管理導入のための高性能トランジスター FQPF4N65C -力管理適用の高性能そして効率を提供するように設計されている最終的なN-channel MOSFETのトランジスター。この多目的なトランジスターは広い応用.........

FDA59N30 Pnp力トランジスター59A 300V N-Channel 56のMOhmsの高い発電のトランジスター 記述...

BSH201 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA （Ta）の417mW （Ta）表面の台紙 Pチャネルの強化モードBSH201 MOSのトランジスター 特徴の記号の即時参考データ•低い境界の電圧VDS = -60ボルト•速い切換え•論理の水平な互換性があるID = -0.3 ......

MOSFET FDG6321C チップ ダイオード トランジスタ集積回路 製品説明 MOSFET SC70-6 COMP NP-CH 製品特性 メーカー： オンセミ......