最新の価格を尋ねる
正会員
7 年
Add to Cart
BSH201 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA （Ta）の417mW （Ta）表面の台紙
Pチャネルの強化モードBSH201 MOSのトランジスター
特徴の記号の即時参考データ•低い境界の電圧VDS = -60ボルト•速い切換え•論理の水平な互換性があるID = -0.3 A•Subminiature表面の台紙のパッケージRDSの（） ≤ 2.5のΩ （VGS = -10 V）
SOT23をピンで止める概説
Pチャネル、強化モード、PINの記述の論理のレベル、分野効果力トランジスター。この装置にそれに2つの源の電池式の適用および高速デジタル インターフェイスのための理想をする低速1のゲートの境界の電圧および非常に速い切換えがあります。3下水管
BSH201はSOT23 subminiature表面取り付けのパッケージで供給されます。
| 製品特質 | すべてを選んで下さい |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター- FETs、MOSFETs -は選抜します | |
| 製造業者 | Nexperia USA Inc。 |
| シリーズ | - |
| 包装 | テープ及び巻き枠(TR) |
| 部分の状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | Pチャネル |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） | 60V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 300mA （Ta） |
| 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 2.5オーム@ 160mA、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 1V @ 1mA （分） |
| 充満（（最高） Qg） @ Vgsをゲートで制御して下さい | 3nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入力キャパシタンス(Ciss) （最高） @ Vds | 70pF @ 48V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 417mW （Ta） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台のタイプ | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | TO-236AB |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
www.icmemorychip.com
電子メール:sales@deli-ic.com
Skype:hksunny3
TEL:86-0755-82539981