mosfet vs transistor

インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスターは何ですか。 力MOSFETは金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特別なタイプです。特に高レベル力を扱うことを設計します。力MOSFET'SはV構成で組み立てられます。従っ.........

高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2P.........

高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK MSL 1単一NチャネルのMOSFETS プロダクト技術仕様 製造業者 Vishay Siliconix シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 ......

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IRF5210PBF Pチャネル100V 40A 200W TO-220のすくいMosfet力トランジスター 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名のためにである.........

Mosfet力トランジスターIRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC MOSFETのトランジスター 適用 •高周波DC-DCのコンバーター •無鉛 記述......

N型スーパージャンクション MOSFET パワートランジスタ SMPS用 製品説明: このスーパージャンクションMOSFETの特徴の一つは 100%の雪崩テストです このテストは装置が高エネルギートランジエントに耐えるようにします時折の電源突発やピークを経験するアプリケーションに優れた選択になり........

SPW 24N60C3 MOSFET力 抵抗のトランジスター高い発電の高性能の低速 変数: - 源の電圧（VDS）を流出させなさい:600V - 流れ（ID）を流出させなさい:24A - ゲート源電圧（VGS）:±20V - 電力損失（PD）:15.........

元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 （SOT-23-3） LP2301BLT1G プロダクト 記述: 1.MOS （電界効果トランジスタ） /LP2301BLT1Gのダイオードおよび整流器 プロダクト承諾のwithRoHSの条件の2.the自由な材料およびハロゲ.........

MOSFET IRLML6401TRPBF チップ ダイオード トランジスタ集積回路 製品説明 MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl 製品特性...

プロダクト細部 包装管部分の状態活動的FETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）55V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C49A （Tc）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V（最高） @ ID、VgsのRds17.5のmOhm.......

CSD17575Q3 Mosfet力トランジスターMOSFET MOSFET 30V、N-channelのNexFET Pwr MOSFET 1特徴 低いQgおよびQgd 低いRDS （） 低い熱抵抗 評価されるなだれ Pbの自由.........

自動車用IGBTモジュール CAB016M12FM3T モスフェット配列 モスフェット 78Aトランジスタモジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度9.........

IRF2907ZS-7PPbF HEXFET®パワーMOSFET 特徴 •高度なプロセス技術 •超低オン抵抗 •175°Cの動作温度 •高速スイッチング •反復雪崩はTjmaxまで許容される 説明 高電流、高信頼性アプリケーション向けに特別に設計されたこのHE.........

BUK201-50Y NPN PNPのトランジスターPowerMOSのトランジスターTOPFET高い側面スイッチ 記述 単一温度 積み過ぎによって保護される電源スイッチ aのMOSFETの技術に基づく わずかな負荷流れ（ISO） 形成される5つのピン プラスチック封筒 単一の高い側面スイッチとして。 ......

標準的な電子部品でICはXC226796F80LACKXUMA1 SAK-XC2267-96F80L ACを欠く 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜ぶ。ありがとう! .........

FQPF18N60C -あなたの電子プロジェクトのための最終的な力トランジスター--を導入するFQPF18N60Cの力-高圧および高い現在の適用のための理想を自由にしなさい 高圧および高い現在の適用を扱うことができる力トランジスターを捜すか。FQPF18N60Cよりそれ以上に見てはいけない。.........

電気オートバイ18のmosfets 35Aのコントローラー48-96vの工場のための輸入された力トランジスターは指示します 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。 .........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........