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Mosfet力トランジスターNTMFS5H419NLT1G MOSFET T8 40V低いCoss SMD/SMT
特徴
•コンパクト デザインのための小さい足跡(5x6 mm)
•伝導の損失を最小にする低いRDS ()
•運転者の損失を最小にする低いQGおよびキャパシタンス
•これらの装置はPb−Free、迎合的なRoHSです
部門 | MOSFET T8 40V低いCOSS |
---|---|
NTMFS5H419NLT1G | |
トランジスター極性 | Nチャネル |
チャネルいいえ。 | 1つのチャネル |
漏出源のオン抵抗 | 2.1のmOhms |
働く温度 | -55Cへの+150C |
Pd力の消滅 | 89 W |
VgsのThゲートの源の境界の電圧 | 1.2 V |
Vds漏出源の絶縁破壊電圧 | 40V |
FAQ:
1. あなたのプロダクトは新しく、元ですか。
R:はい、それはより確実であることができませんでした!あなたにプロダクトが元でなかったら、私達提供するか、新しいものをまたは作ります払い戻しをテストがあってもよい。
2. 私はテストするべき試供品があってもよいですか。
R:それは異なった項目によって、直接連絡します私達に決まります!sales05@wtxcapacitors.com
3. あなたの保証は何ですか。
R:一般に、私達の保証はあなたに商品を受け取った後問題がある120 days.if、知らせて下さい私達にです。
4. あなたの調達期間は何ですか。
R:正常な調達期間は3-7日ですが、あなたの順序の量によって決まります。conact正確な調達期間を確認する私達。