mosfetトランジスタ増幅器

BLF7G27L-90PのN/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路BLF7G27L-90P 指定 項目 価値 D/C 新しい...

TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴■低いcollector-emitterの飽和電圧■補足NPN - PNPのトランジスター 適用■一般目的■オーディオ・アンプ 記述装置はエピタキシアル基盤の平面の技術で製造され、可聴周波の、力の線.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF.........

元のIRF7404TRPBF SOP8 Pチャネル20V 7.7A SMD MOSFETのトランジスター記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名.........

プロダクト細部 包装管部分の状態活動的FETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）55V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C49A （Tc）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V（最高） @ ID、VgsのRds17.5のmOhm.......

FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: MOSFET 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT......

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NチャネルIXTH24N50L線形力MOSFETのトランジスターTO-247単一のFETsのトランジスター IXTH24N50Lの製品の説明 IXTH24N50LはN-Channel線形操作のために設計されている線形力MOSFETのトランジスター パッケージであるTO-247.........

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トランジスターNチャネルMOSのトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1新しい部品MOSFETのトランジスター 製品の説明 代わり強く速いボディ ダイオード 減らされたシステム費用および複雑さ より高い強さおよび装置の信頼度 製品仕様書.........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

AO4447Aの電子集積回路のトランジスターAOS 1.General記述AO4447Aは低いゲート充満を優秀なRDSに（）与えるのに高度の堀の技術を使用する。この装置は負荷スイッチおよび電池の保護適用にとって理想的である。RoHSおよびハロゲンなしの迎合的 2.Applicationsシステム........

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MOSFETモータPLCトランジスタモジュール8入力ごとのロードステータス表示 PLC出力アンプボードは、低電力制御信号をより大きな出力制御信号に変換して、モータ、コンタクタ、電磁弁などを制御します。 PLCの出力アンプボード製品の機能： 1。 シンプルな配線、簡単なインストール、小さな.........

SOT-323 3904W /3906W NPNとPNP シリコン 特徴 - このトランジスタは,一般的な用途のアンプアプリケーションのために設計されています. 低出力表面マウント用用に設計されたSOT323/SC70で - Pbフリーパッケージが用意されています. 一般目的のアンプトラ.........

製品の説明 BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するため.........

製品詳細 CA3140AとCA3140は統合回路の動作増幅機で,単一のモノリシックチップ上の高電圧PMOSトランジスタと高電圧双極トランジスタの利点を組み合わせています. 仕様 属性 属性値 製造者 レネサス 製品カテゴリー 機器増幅器.........