モスフェット構造

製品説明: 高電圧MOSFET: 組み込みFRD高電圧MOSFET,熱を散らす能力が高く,特殊な電源MOS構造 高電圧MOSFETは,特殊な電源MOS構造と新しい横向変数ドーピング技術を持つN型高電圧MOSFETトランジスタである.高温で優れた特性を提供するスマートメーター,キャビネット電源,産........

AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet力トランジスター垂直構造 Mosfet力トランジスター記述: AP10H03Sは高性能の堀です極度で高い細胞密度のN CH MOSFETs、優秀なRDSONを提供し、充満をゲートで制御するかどれが小さい力の切換えのほとんどのた.........

BLF188XR RF Mosfet LDMOS （二重）、共通のソース50V 40mA 108MHz 24.4dB 1400W SOT539A 特徴 1400のWまでの非常に険しく強力な配達厳しい不適当な組み合わせの状態の下の優秀な安定性全平面の一致の構造によるコンパクトおよび容.........

IRFS4410ZTRLPBF最高の効率および信頼性のための高性能MOSFETのパワー エレクトロニクス 製品の説明: IRFS4410ZTRLPBFは国際的な整流器によって製造されたN-Channel MOSFETである。このMOSFETは低いゲート源の抵抗と設計さ.........

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MOSFETsのケイ素NチャネルMOS （DTMOSの） TK10P60W 適用 •切換えの電圧安定器 特徴 （1）低い下水管源のオン抵抗:RDS（） = 0.327のΩ （typ。） 極度の接続点の構造に使用されるによって:DTMOS （2）ゲートの切換.........

ZXMP10A17E6TA 100VのP-CHANNELの強化モードMOSFET線形力mosfetの堀力mosfet 特徴 •低いオン抵抗 •速い切り替え速度 •低い境界 •低いゲート ドライブ •SOT23-6パッケージ 適用 •DC-DCのコンバーター •力の.........

スクーター モーター コントローラー最高ブラシレスdcモーター コントローラー1.5kW。出力12VDC 24VDC 36VDC 48VDC 適用: スクーター、水ポンプ、電池充満、空気換気の速度制御および他の動力工具。 項目 電圧 力 ア.........

製品範囲 IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布 MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220 Appの特徴 非.........

IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF40VシングルNチャネルパワーMOSFET（TO-220パッケージ） IRF1404PBFについて： 機能の概要 TO-220パッケージのIRF140440VシングルNチャネルパワーMOS.........

在庫で元のIRF431 MOSFETのトランジスター分離した半導体 特徴◆低速。hlghの電圧のRps {）●lmproved誘導のruggednBss●優秀なhlghの電圧stabllity●速いswluching tlmes●険しいpalysllconのgBteの細胞構造■Lqwの.........

IRF1407 75V シングルNチャネルHEXFET パワーMOSFET TO-220ABパッケージ 特徴: 広いSOA用の平面細胞構造 配送パートナーから最も広く利用できるように最適化 JEDEC 規格による製品資格 シリコンは100kHz未満のスイッチングアプリケーションに最適化さ.........

携帯用TIG MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMALの溶接機380V Mosfetの省エネDCの溶接工 ティグ溶接機械特徴: 1. IGBTの単一管の技術を使用して、それは成長し、安定したproformanceと技術的に。 2. 二重機能:TIGおよびMUTTAHIDA MAJLIS-.........

RCのボートEfoilのためのWater-cooledのための250A 8S BLDCの速度のコントローラーESC 基本情報 電圧現在サイズ（mm）重量（g）BEC （ボルト/Amps）箱のプログラミング サポートコンピュータ・プログラミング サポートファームウェア更新 2-8S250A85*48.......

太陽12V経済的なタイプ風の太陽雑種のコントローラー300Wの風+ 200W 1. 特徴 以外格子風/太陽ハイブリッド システムのために設計して下さい 風のコントローラーおよび太陽コントローラーの統合された設計 異なった種類の電池に適当 stepless.........

G3VM-61MT （TR01）の半導体継電器-非常に低い漏出流れが付いているモジュールのパッケージのPCBの台紙MOSFETのリレーOmronの電子工学G3VM-MT MOSFETのリレー モジュール Omronの電子工学G3VM-MT MOSFETのリレー モジュールは高精度の測定を提供し.........

N-channel 800 Vの0.19 Ωのタイプ。、D2PAK、TO-220FP、TO-220の19.5のMDmesh™ K5力のMOSFETs そしてTO-247パッケージ 適用 •転換の適用 記述 これらの非常に高圧N-channel力のMOSFETsはMDmesh™ K5の技術.........

製品の説明 06N90E FMV06N90E FMH06N90Eの分離した半導体900V 6A IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40VのTO-220パッケージの単一のN-Channel力MOSFET IRF1404PBFについて:.........

6S 10A 22.2V 25.2V BMS NTC エネルギー貯蔵 BMS/UPS インバーター/インバーター BMS リチウム 18650 BMS 製品説明 超充電,超放電,超電流,短回路,温度検出保護,自動電圧バランス機能から電池を検出し保護する. 高級電子部品 (High End ICと........