モスフェット構造

双角型コーンミキサー 製品説明 ダブルコーンミキサーは,ユニークな構造を持つ工業用ミキサーである.その主体は,二つのコーンシリンダーと短い円筒を二重コーン形に溶接することによって形成される.混合効率が高いという利点があります低残留物質とコンパクトな構造粉末と粒状の材料の混合要件を満たすだけでなく,穏......

8''鉱石転送ホース 多層ゴム構造 衝撃振動吸収強化 紹介 耐火鉱山用ホースは 防火ガム製で 防火性能が高く 地下鉱山用です火災や静電放出を減らすのに役立ちます構造は水,泡,および他の防火剤を信頼性と安全性を持って運ぶように設計されています. 頑丈な外装は磨きと衝撃に耐える,閉じ込められた環.........

オーストラリア 標準 軽鋼構造 多階建て モジュール型住宅 豪華別荘 プリファブ ファミリー アパートビル パナマハウス 4 ベッドルーム3つのトイレ23 生きる1キッチン 313.6m2 パナマハウスの 313.58m2のレイアウトは 住宅空間計画における突破を象徴しています.........

農業用ドローン • 医療機関Z30PはZシリーズで30kg負荷の農業用ソリューションで,新しいトラス構造とZ形の折りたたみの腕を備えています.コアモジュール,電源板,プラグは密封され,防水です.様々な厳しい作業環境に対応できる大流量プロペラーポンプと水冷却した遠心噴嘴で装備され,噴霧と噴霧の間を迅速......

新品とオリジナル 集積回路ICチップ 電子部品 [Wh はo そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,RF統合回路を含む電子部品の主要販売業者であり,航空宇宙,軍事,医療,自動車,消費電子機器製.........

製品説明: 高電圧MOSFET: 組み込みFRD高電圧MOSFET,熱を散らす能力が高く,特殊な電源MOS構造 高電圧MOSFETは,特殊な電源MOS構造と新しい横向変数ドーピング技術を持つN型高電圧MOSFETトランジスタである.高温で優れた特性を提供するスマートメーター,キャビネット電源,産........

AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet力トランジスター垂直構造 Mosfet力トランジスター記述: AP10H03Sは高性能の堀です極度で高い細胞密度のN CH MOSFETs、優秀なRDSONを提供し、充満をゲートで制御するかどれが小さい力の切換えのほとんどのた.........

BLF188XR RF Mosfet LDMOS （二重）、共通のソース50V 40mA 108MHz 24.4dB 1400W SOT539A 特徴 1400のWまでの非常に険しく強力な配達厳しい不適当な組み合わせの状態の下の優秀な安定性全平面の一致の構造によるコンパクトおよび容.........

IRFS4410ZTRLPBF最高の効率および信頼性のための高性能MOSFETのパワー エレクトロニクス 製品の説明: IRFS4410ZTRLPBFは国際的な整流器によって製造されたN-Channel MOSFETである。このMOSFETは低いゲート源の抵抗と設計さ.........

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MOSFETsのケイ素NチャネルMOS （DTMOSの） TK10P60W 適用 •切換えの電圧安定器 特徴 （1）低い下水管源のオン抵抗:RDS（） = 0.327のΩ （typ。） 極度の接続点の構造に使用されるによって:DTMOS （2）ゲートの切換.........

ZXMP10A17E6TA 100VのP-CHANNELの強化モードMOSFET線形力mosfetの堀力mosfet 特徴 •低いオン抵抗 •速い切り替え速度 •低い境界 •低いゲート ドライブ •SOT23-6パッケージ 適用 •DC-DCのコンバーター •力の.........

耐久性産業用高性能MOSFET 熱消耗金属酸化物 モスフェット 製品説明: MOSFETはN型装置で,ゲート・ソース電圧 (Vgs) は±30Vで,信頼性と効率的な性能を必要とする高電力アプリケーションで使用するのに最適です. 高功率MOSFETは,高功率MOSFETと優れた性能特性により,幅広........

APT10090BLL マイクロチップ技術 MOSFET FG MOSFET 1000V TO-247 RoHS 製造者: マイクロチップ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケー.........

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

スクーター モーター コントローラー最高ブラシレスdcモーター コントローラー1.5kW。出力12VDC 24VDC 36VDC 48VDC 適用: スクーター、水ポンプ、電池充満、空気換気の速度制御および他の動力工具。 項目 電圧 力 ア.........

製品範囲 IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布 MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220 Appの特徴 非.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........