TK10P60W力MosfetのトランジスターMOSFETsのケイ素NチャネルMOS

MOSFETsのケイ素NチャネルMOS （DTMOSの）

TK10P60W

適用

•切換えの電圧安定器

特徴

（1）低い下水管源のオン抵抗:R_DS（） = 0.327のΩ （typ。）

     極度の接続点の構造に使用されるによって:DTMOS

（2）ゲートの切換えを制御すること容易

（3）強化モード:V_Th = 2.7から3.7ボルト（V_DS = 10のボルト、I_D = 0.5 mA）

包装および内部回路

絶対最高評価（ノート） （Ta = 25℃他に特に規定がなければ）

注:作動条件（すなわち実用温度/流れ/電圧、等）が絶対最高評価の内にあっても重負荷（例えば温度、等の高温/流れ/電圧および重要な変更の適用）の下の絶えず使用によりこのプロダクトは信頼性でかなり減りますかもしれません。

東芝の半導体の信頼性の手引（「概念および方法」軽減する注意」の/「扱います）および個々の信頼性データ（すなわち信頼度試験のレポートおよび推定故障率、等）見直した上で適切な信頼性を設計しま。

注意して下さい

1:チャネルの温度が150℃を超過しないことを確認して下さい。注意して下さい

2:VDD = 90ボルト、Tch = 25℃ （頭文字）、L = 33.9 mH、RG = 25 Ω、IAR = 2.5 A

標準的な提供（熱い販売法）

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