低い漏出流れが付いているG3VM-61MT TR01 PCBの半導体継電器
型式番号:G3VM-61MT （TR01）
最低順序量:50pcs
供給の能力:1000000個
出力タイプ:AC、DC
電圧 - 入力:2.4VDC
電圧 - 負荷:0ボルト| 60ボルト
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
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内 23 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
G3VM-61MT （TR01）の半導体継電器-非常に低い漏出流れが付いているモジュールのパッケージのPCBの台紙MOSFETのリレー
Omronの電子工学G3VM-MT MOSFETのリレー モジュール
Omronの電子工学G3VM-MT MOSFETのリレー モジュールは高精度の測定を提供し、電子部品の生産性を改善する。リレーは小型およびより長いライフサイクルから成っているTタイプ回路の構造を特色にする。回路の構造は現在の最低のレベルに漏出を正確さに影響を与えないで減らすのを助ける3つのMOSFETのリレーから成っている。これらのモジュールは利用できる21MT、61MTおよび101MT変形である。G3VM-MTは試験装置の転換の測定信号を主にのが常であった半導体デバイスのための電気テストを行う可能にする。
特徴
- 小型パッケージ印刷物のサーキット ボードの取付けスペースの減少に貢献する
- 開いている静脈に注射しなさいおよび副ラインは近い時現在の漏出:Vの1pA （最高）=20V
- 接触の形態:1A （SPST-NO） + Tスイッチ機能
- 表面土台
指定
- 最高1pA。現在の漏出
- 最高20Vへの100V。負荷電圧
- 最高200mAへの500mA。連続的な負荷流れ
- 最高8Ωへの0.4Ω。出力との抵抗
- 出力ターミナル間の0.6pF 23pFキャパシタンス
- 最高3mA @25°Cの制動機LED。先に現在
3-MOSFET構造（Tモジュール）
低い漏出流れが付いているG3VM-61MT TR01 PCBの半導体継電器
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