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mosfet 高端スイッチ

1 - 20 の結果 mosfet 高端スイッチ から 3549 製品

IRF840PBF MOSFET 高速スイッチング、低オン抵抗、最大出力 製品パラメータ: タイプ: NチャネルMOSFETドレイン・ソース電圧(Vdss):100Vゲートしきい値電圧 (Vgs(th)): 4V連続ドレイン電流 (Id): 10.8A最大ドレイン.........

Time : Nov,30,2024
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OEMの高い現在のトランジスター/耐久PチャネルMosfetの高い側面スイッチ 高い現在のトランジスター特徴の記述 40V/19AR DS () = 5.3mΩ (typ。)@V GS = 10VR DS () = 6.0mΩ (typ。)@V GS = 4.5Vテストされる100.........

Time : May,30,2024
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JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

Time : Dec,10,2024
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多目的高功率モスフェット 硬式スイッチング レゾナントスイッチング PWM ステージ 特徴 • 速やかに 切り替える • 低 ON 抵抗 • 低ゲート 料金 • 100% シングルパルス 雪崩エネルギーテスト 応用 スイッチモード電源 (SMPS) 切断のない電源 (UPS) パワーファ.........

Time : Mar,31,2025
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製品説明: 高電圧MOSFET 高電圧MOSFETは,FRDHVMOSFETを組み込み,超高電圧評価と優れた熱消耗,低電圧抵抗とMOSFET技術を提供しています.このタイプのMOSFETはN型です.高電圧および/または超高電圧電源を必要とする様々な用途に適している. 高電圧MOSFETは高性能で........

Time : Mar,21,2025
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12volt 300Amp高周波転換DC IGBTの電源の整流器 電源の単位(別名スイッチ整流器SMR)はMOSFETかIGBTによって高周波で作動します。転換の頻度は一般に50-100のkHzの範囲の内で管理されている、さざ波係数の≤ 1%との、高性能および小型化を達成するためです。 切換えの電源......

Time : Aug,27,2023
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東芝力トランジスター モジュールのケイ素NPNのエピタキシアル タイプ (1つの4つのダーリントン力トランジスター) MP4104 高い発電の切換えの適用 ハンマー ドライブ、脈拍モーター ドライブおよび誘導負荷切換え •完全な鋳造物(SIP 10ピン)による小型パッケー.........

Time : May,30,2024
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BUK201-50Y NPN PNPのトランジスターPowerMOSのトランジスターTOPFET高い側面スイッチ 記述 単一温度 積み過ぎによって保護される電源スイッチ aのMOSFETの技術に基づく わずかな負荷流れ(ISO) 形成される5つのピン プラスチック封筒 単一の高い側面スイッチとして。 ......

Time : Nov,20,2020
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EP5 EPA4493G-LF SMPS 250uHのゲート ドライブ変圧器 特徴: ●ACのための高速転換の変圧器はつないだMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路●低い漏出インダクタンス●クラスBの絶縁材システム●転換の頻度:100つのkHzから2つのMHz●実用温度:-40°.........

Time : Nov,29,2024
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FDP085N10AのN-ChannelのPowerTrench MOSFETの高い発電Mosfetのトランジスター 特徴 •RDS () = 7.35mΩ (タイプ。) @ VGS = 10V、ID = 96A •速い切り替え速度 •低いゲート充満 •極端に低いRDSのための高性能の.........

Time : Dec,01,2024
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JY12M Nおよびインバーター塗布のための速い切り替え速度のP Chennel 30V MOSFET 概説 JY12MはタイプのNおよびPチャネルの論理の強化モード両方で設計されている力分野のトランジスターである。これらのトランジスターは優秀なパフォーマンス特性を可能にする高い細胞密度D.........

Time : Mar,18,2025
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自動車用 IGBT モジュール GCMX080B120S1-E1 高速スイッチング パワー MOSFET モジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99..........

Time : Mar,11,2025
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電力用途のための高性能STB80PF55T4PチャネルMOSFET STMicroelectronics STB80PF55T4は,効率的なスイッチと高電流処理能力を必要とする電力アプリケーションのために設計された高性能PチャネルMOSFETである.断熱電圧55V,連続流出電流80AこのMOSFET......

Time : Dec,04,2024
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BAV99 SOT-23の高速スイッチング・ダイオード小さい信号のスイッチング・ダイオード 小さい信号のSOT-23プラスチック パッケージが付いている高速スイッチング・ダイオードBAV99 BAV99 SOT-23 Datasheet.pdf 指定の特徴: 速い切り替え速度 一般目的の転換の適用の......

Time : Sep,11,2023
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表面の台紙のSOD-80パッケージが付いている高速スイッチング・ダイオードLL4150 特徴 1. 速い切り替え速度 2.小さい表面取り付けのタイプ 3. 高い信頼性 4.高い前方現在の機能 5。 一般目的の切換えの適用のため 適用 コンピュータおよび産業適用の高速スイッチそして一般目的の使用 構造 ......

Time : Sep,09,2023
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2SK1423 K1423 TO3Pの超高度速度の切換えの適用低いオン州の抵抗NチャネルMOSFET 在庫の他の電子部品のリスト SP6887ER4-L/TR SIPEX/EXA FSB660A フェアチャイルド NLV25T-470J-PF TDK DS1337S+T ダラス MMSZ5248B......

Time : Nov,03,2023
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12/24/40.5 屋外用高電圧切断スイッチ 説明: GW□-12/24/40.5-630-20(25) 屋外 AC 高電圧切断スイッチ (略して切断スイッチ) は、電圧が無負荷の 50/60Hz、12/24/40.5kV で回路を開閉するために使用されます。電源システム、公害防止タイプは深刻な公......

Time : Sep,16,2023
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