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3 年
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IRF840PBF MOSFET 高速スイッチング、低オン抵抗、最大出力
製品パラメータ:
タイプ: NチャネルMOSFET
ドレイン・ソース電圧(Vdss):100V
ゲートしきい値電圧 (Vgs(th)): 4V
連続ドレイン電流 (Id): 10.8A
最大ドレイン・ソース・オン状態抵抗 (Rds(on)): 0.005ohm
最大消費電力 (Pd): 83W
要素数: 1
パッケージタイプ: TO-220AB
取り付けタイプ: スルーホール
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