FDP085N10AのN-ChannelのPowerTrench MOSFETの高い発電Mosfetのトランジスター

型式番号:FDP085N10A
原産地:アメリカ
最低順序量:5pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:5600pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

FDP085N10AのN-ChannelのPowerTrench MOSFETの高い発電Mosfetのトランジスター

特徴

•RDS () = 7.35mΩ (タイプ。) @ VGS = 10V、ID = 96A

•速い切り替え速度

•低いゲート充満

•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術()

•高い発電および現在の処理の機能

•迎合的なRoHS
概説
このN-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される先発のPowerTrenchプロセスを使用して。
適用
•DCコンバーターへのDC

•テレコミュニケーションPSUのための同期改正

•充電器

•ACモーター ドライブおよび無停電電源装置

•オフ・ラインUPS

熱特徴

記号変数評価単位
RθJC熱抵抗、包装するべき接続点0.8°C/W
RθJA熱抵抗、包囲されたへの接続点62.5°C/W


典型的なパフォーマンス特性


物品目録の部分

ZM4749A10000VISHAY15+DO-213AB
ZM4746A5000VISHAY15+DO-213AB
MURA160T3G2500016+DO-214
MRA4005T3G2000016+DO-214AC
B240A-13-F5000ダイオード15+SMA
B260A-13-F5000ダイオード16+SMA
B1100-13-F10000ダイオード16+SMA
MURA215T3G4000016+DO-214
0603ESDA-TR120500たる製造人15+SMD
DL4007-13-F8100ダイオード15+LL41
BAT54WS15000盤錦15+SOD323
DL40048160MCC15+LL41
BZX85C155000VISHAY14+DO-41
MCR100-62000016+SOT-23
MUR160RLG2500016+DO-41
BAT4215000VISHAY14+DO-35
BZX55C1210000ST16+DO-35
DB31275ST13+DO-35
1N41489000ST16+DO-35
1N4761A-TAP9000VISHAY15+DO-41
DL4001-13-F8190ダイオード15+LL41
PIC16F1823-I/SL5318マイクロチップ16+SOP
P89LPC935FDH334014+TSSOP
MSS6132-103MLC6904COILCRAFT10+SMD
MSS1278-184KLD6897COILCRAFT16+SMD
NLFC453232T-151K38000TDK16+SMD
PCF8576CT/11316016+SSOP
LM2940CSX-5.010000NSC15+TO-263
LQH43MN470K03L30000村田16+SMD
LQH43CN330K03L38000村田16+SMD
MSS1260-103MLD6883COILCRAFT10+SMD
FODM121R12200フェアチャイルド15+SOP-4
China FDP085N10AのN-ChannelのPowerTrench MOSFETの高い発電Mosfetのトランジスター supplier

FDP085N10AのN-ChannelのPowerTrench MOSFETの高い発電Mosfetのトランジスター

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