モスフェット配列

4NチャネルMosfetの配列MSCSM170HM23CT3AG完全な橋SiC MOSFET力モジュール602W MSCSM170HM23CT3AGの製品の説明 MSCSM170HM23CT3AGは完全な橋SiC MOSFET力モジュール、1700ボルトの124 Aの炭化ケイ素（SiC）.........

CSD75207W15チタニウムのトランジスターMOSFETは二重P-CH 3.9A 9 Pin DSBGA T/Rを配列するプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態 活動的.........

FDS3992 Mosfetの配列100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC データ用紙:FDS3992 部門 FET、MOSFETは配列する Mfr onsemi シリーズ PowerTrench プロダクト状態 活動的 技術 MOSFET （金属酸化物） 構成 2 N-Channel ......

統合回路IC NTZD3155CT1G モスフェット配列 20V 540mA, 430mA 250mW 表面マウント SOT-563 [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル.........

PMCXB900UE 20 V 補完 N P チャンネル トレンチ MOSFET 製造者: ネクスペリア 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: DFN-1010-6.........

FDS8984 Mosfetの配列2 Nチャネル（二重） 30V 7A 1.6Wの表面の台紙8-SOIC FETのタイプ 2 Nチャネル（二重） FETの特徴 論理の水平なゲート 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） 30V.........

トランジスター- FETs ICはAO4884 Mosfetの配列2のN-Channel （二重） 40V 10A 2Wの表面の台紙8-SOICを欠く 製品の説明 部品番号AO4884はチタニウムの技術によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビュー.........

INFINEON チップ IRFB4227PBF MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: T.........

IRF1010EPBF 集積回路 IC チップ電子部品 IC MOSFET 製品説明 部品番号 #IRF1010EPBFによって製造されていますインフィニオンJalixin によって技術および配布されています。電子製品の大手販売代理店の 1 つとして、当社は世界の.........

製品の説明プロダクト細部 包装テープ及び巻き枠（TR） 部分の状態活動的 FETのタイプNおよびP-Channelの共通の下水管 FETの特徴論理のレベルのゲート 流出させなさいに源の電圧（Vdss）40V 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C12A （最高） @ ID、VgsのRds30........

NTZD3154NT1Gの指定 部分の状態 活動的 FETのタイプ 2 N...

FDMC6688P Mosfetのシステム内プログラム可能なゲート・アレーLDO電圧安定器 前衛からのFDMC6688PパッチPQFN3.3x3.3 MOSの管LDOの電圧安定器の三極管MOSFET PT8P 20_8V 製品特質 属性値 類似した調査.........

製品説明:低電圧MOSFETは 現代の半導体技術の頂点です 電子部品の驚くべき進歩の証ですこのトランジスタは最先端のTrenchとSGT (シールドゲートトレンチ) プロセスの製品です電力管理アプリケーションの幅広い範囲に合わせて設計されています.低電圧MOSFETは,多くの電子機器の効率と性能........

BUK7K52-60EX タイプ 記述 部門 分離した半導体製品 トランジスター- FETs、MOSFETs -配列 Mfr Nexperia USA Inc。...

ULQ2003ADR高電圧大電流ダーリント・トランジスタ・アレイプロパワーアンプ回路 ►500mA定格コレクタ電流（単一出力） ►高電圧出力。 。 。 50 V ►出力クランプダイオード ►さまざまな種類のロジックに対応した入力 ►リレードライバアプリケーション 説.........

FQPF8N60C -電子工学の適用のための高性能MOSFET信頼でき、有効な電子工学の部品に今日投資しなさい FQPF8N60Cは高性能の電子工学の適用のために設計されていたMOSFETのトランジスターである。電子工学分野のベテランの販売人として、私達は信頼でき、有効な電子工学の部品を追求.........

ULN2003AIDR Mosfet力トランジスター ダーリントンのトランジスターHiVltgこんにちはCrnt Darlのトランジスター配列 1特徴 500 mA評価されるコレクター流れ（単一の出力） 高圧出力:50ボルト 出力クランプ ダイオード さ.........

半導体として炭化ケイ素 炭化ケイ素の焼結炉によって作り出される半導体のトランジスターおよびMOSFETs ほぼあらゆる電子項目遭遇日常的に半導体を含んでいる。彼らはサーバー農場および太陽光線を集めるためのアンテナのような高い発電の適用へのあなたのsmartphoneかタブレットからのすべてに、ある。 ......