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プロダクト細部
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） | |
|---|---|---|
| 部分の状態 | 活動的 | |
| FETのタイプ | NおよびP-Channelの共通の下水管 | |
| FETの特徴 | 論理のレベルのゲート | |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 40V | |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 12A | |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 30mOhm @ 12A、10V | |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 10.8nC @ 10V | |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 650pF @ 20V | |
| パワー最高 | 2W | |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | |
| パッケージ/場合 | TO-252-5、DPak （4つの鉛+タブ）、TO-252AD | |
| 製造者装置パッケージ | TO-252-4L |
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