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プロダクト細部
包装 | テープ及び巻き枠(TR) | |
---|---|---|
部分の状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | NおよびP-Channelの共通の下水管 | |
FETの特徴 | 論理のレベルのゲート | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 40V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 12A | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 30mOhm @ 12A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3V @ 250µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 10.8nC @ 10V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 650pF @ 20V | |
パワー最高 | 2W | |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) | |
タイプの取付け | 表面の台紙 | |
パッケージ/場合 | TO-252-5、DPak (4つの鉛+タブ)、TO-252AD | |
製造者装置パッケージ | TO-252-4L |
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