実用的な600Vトランジスター配列の破片、高性能MOSFET FQPF8N60C
型式番号:FQPF8N60C
シリーズ:FQPF8N60C
タイプ:MOSFET
パッケージ/場合:TO-220-3
様式の取付け:穴を通して
Pd -電力損失:48W
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
Shenzhen, Futian District, Huaqiang North SEG Plaza, Room 3209
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 39 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FQPF8N60C -電子工学の適用のための高性能MOSFET
信頼でき、有効な電子工学の部品に今日投資しなさい
FQPF8N60Cは高性能の電子工学の適用のために設計されていたMOSFETのトランジスターである。電子工学分野のベテランの販売人として、私達は信頼でき、有効な電子工学の部品を追求している顧客にこの部品の推薦で確信している。このMOSFETのトランジスターは低いオン抵抗をおよび電子システムの効率を高めるのを助ける速い転換の機能を提供する。それに600Vの下水管源の電圧があり、176Wの最高の電力損失を扱うことができる。
さらに、それはより小さい脱熱器の使用を促進し、電子設計の熱管理を簡単にする。FQPF8N60Cは高性能および速い転換の機能を要求する力の転換の適用のための費用効果が大きい解決である。丈夫な構造および優秀な電気特徴によって、それはあなたの電子システムのための信頼でき、有効な操作を保証する。FQPF8N60Cに今日投資し、あなたの電子工学の必要性を満たすために保証される高性能MOSFETのトランジスターの利点を楽しみなさい。
良質および長続きがする電子システムを造ることを可能にする最もよい電子工学プロダクトを与えるために私達を信頼しなさい。
技術的な特徴:
- 技術:Si
- 様式の取付け:穴を通して
- パッケージ/場合:TO-220-3
- トランジスター極性:N-Channel
- チャネルの数:1つのチャネル
- Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:600ボルト
- ID -連続的な下水管の流れ:7.5 A
- Rdsのオン下水管源の抵抗:1.2オーム
- Vgs -ゲート源の電圧:- 30ボルト、+ 30ボルト
- VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:4ボルト
- Qg -ゲート充満:28 NC
- 最低の実用温度:- 55 C
- 最高使用可能温度:+ 150 C
- Pd -電力損失:48 W
- チャネル モード:強化
- シリーズ:FQPF8N60C
- 包装:管
- ブランド:onsemi/フェアチャイルド
- 構成:単一
- 落下時間:64.5 ns
実用的な600Vトランジスター配列の破片、高性能MOSFET FQPF8N60C
お問い合わせカート
0