線形モスフェット

MHL21336 電界効果トランジスタ 力モジュール IC は 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプを分けます 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプ 3G 周波数帯域で作動する 50 オーム システムの超線形アンプの塗布のために設計されている。.........

線形適用を転換する2N7002 L MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-236-3のトランジスター高速 FETのタイプ N-Channel...

NチャネルIXTH24N50L線形力MOSFETのトランジスターTO-247単一のFETsのトランジスター IXTH24N50Lの製品の説明 IXTH24N50LはN-Channel線形操作のために設計されている線形力MOSFETのトランジスター パッケージであるTO-247.........

の線形電源のための高い切り替え速度Mosfet力トランジスター 概説 •堀力MOSFETの技術•低いR DS （）•論理の水平な運転•RoHSおよびハロゲンなしの迎合的 適用 •産業およびモーター ドライブ適用 変数 .........

ZXMP10A17E6TA 100VのP-CHANNELの強化モードMOSFET線形力mosfetの堀力mosfet 特徴 •低いオン抵抗 •速い切り替え速度 •低い境界 •低いゲート ドライブ •SOT23-6パッケージ 適用 •DC-DCのコンバーター •力の.........

MOSFETトランジスタTIP122ダーリントンNPN 100V 5A 2000mW TO220パワートランジスタ TIP120、TIP121、TIP122 TIP125、TIP126、TIP127 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリシックダーリントン構成の平.........

STH150N10F7-2 N-Channel MOSFETのトランジスター 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 部品番号 MFG/BRAND AD9...

高い発電NPNのエピタキシアル平面の両極トランジスターd1047 b817 製品の説明 記述装置は新しいビットLA （線形アンプのための両極トランジスター）の技術を使用して製造されたNPNのトランジスターである。生じるトランジスターよい利益直線性の行動を示す。 特徴- 高い絶縁破壊電圧VCEO =.......

F7522 点滅のない多機能線形恒流LED照明ドライバーソリューション PFCが0以上85 F 線形シリーズチップ選択表 違う P/N 機能と特徴 MOSFET I (mA) LED VF 値 パッケージ 1 F5111 について 高P波動と低P波動フリーを設計することがで.........

製品詳細 一般説明AS1353/AS1356は,1〜10μFのコンデンサで使用するように設計された高性能固定電圧の線形LDOである.装置は,電源トランジスタが線形モードで動作するときに,低脱出条件下で優れたパフォーマンスを提供することができます.統合PチャネルMOSFET出力は,.........

PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力であるトランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。それは1つ......

アルミニウム細い収容LEDの電源100W 12V 入れられた電圧:170-264V 90-130V出力領域:100W 特徴 ●入れられた電圧激怒170-264V 90-130V●酸化灰色の青が付いているアルミニウム ハウジングは終わった、または利用できる色をカスタマイズした●保護.........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

VRF2933 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路VRF2933w 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

BCX56-10# 80V 1A 1.25W NPNの中型力トランジスターSOT89 特徴 ■高い流れ ■2つの現在の利益選択 ■高い発電の消滅の機能 適用 ■線形電圧安定器 ■低側のスイッチ ■MOSFETの運転者 ■アンプ デリ.........