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FETのタイプ
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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5V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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7.5Ohm @ 500mA、10V
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Vgs ((最高) Th) @ ID
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2.5V @ 250µA
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Vgs (最高)
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±20V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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50 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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200mW (Ta)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3
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パッケージ/場合
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基礎プロダクト数
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2つNは7002のL TO-236-3金属のパッケージのN-Channelの強化モード電界効果トランジスタ(FET)である。この装置はそれを高速転換の適用にとって理想的にさせる最大2.5オームで抵抗の低速による切換えおよび線形適用の使用のために適している。それは高い下水管源の電圧に抗するまたことができる500mAの最高の下水管の流れとの20ボルトまで。このFETは低電圧および低い現在の適用のために設計され、それをいろいろ自動車および産業適用のために適したようにする。2つNは7002のL 125°C.の2つまでのkVそして最高使用可能温度のESDの評価を特色にする。装置はまた迎合的な、無鉛RoHSでありそれに広い応用範囲のための信頼でき、安全な選択をする。
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