igbtおよびmosfetの相違

DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

自動車用IGBTモジュール FS33MR12W1M1HB70 一般用途5.35V 25A IGBT電源モジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%.........

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JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

製品範囲 IGBT CoolMOSの分離した半導体SPW35N60C3 MOSFET N CH 650V 34.6A TO247-3 Appの特徴 新しい革命的な高圧技術 超低いゲート充満 周期的ななだれは評価した 極度なdv /dtは評価した 超低く有効なキャパ.........

1200V 75A PIM 電界効果トランジスタ 力モジュール IC 7MBR75UB120-50 IGBT モジュールの運転者 7MBR75UB120-50 IGBT モジュール（U シリーズ） 1200V/75A/PIM 特徴 。 低い VCE （坐.........

ブラシレスモーターとリチウム電池管理のためのSiCモスフェットを持つインバーターIGBT 特徴 • 陽性温度係数 • 速やかに 切り替える 低VCE (静止) • 信頼 さ れ て 頑丈 な もの トレンチとフィールドストップ技術 • コレクターからエミッターへの低飽和電圧 • 高速切.........

つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路 製品の説明: 変圧器によってつながれるMOSFETおよびIGBTのゲートのために設計されているドライブ変圧器をドライブ回路ゲートで制御して下さい 特徴: 変圧器のために設計されてい......

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

KMP15H12X4-7M 厳しい環境と高温のための頑丈なIGBTモジュール 製品説明: IGBTモジュールは,隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT) ユニットファミリーに属する最先端の電子部品です.隔離ゲート双極トランジスタモジュールまたは隔離ゲートトランジスタパックとしても知られています.........

IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 Wの表面の台紙TO-268HV （IXBT）IXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsIXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsはMOSFETsおよびIGBTsの強........

30kw IGBTの携帯用電気高周波誘導の鍛造材の暖房機械 1. LSW-30 IGBTの誘導加熱機械の短い導入:重要で優秀なIGBTおよびMOSFETの頻度を使用してモジュールおよび私達の会社の第二世代の周波数変換の技術は、単に機械構造、高い信頼できる質、低く維持するために、このシリーズ機械今最.......

STK681-310 Onsemiモーター運転者力MOSFET IGBT ICの電子部品 - モーター運転者力MOSFET、平行IGBT - ICの指定:部門集積回路（IC）　PMIC -モーター運転者、コントローラーMfronsemi部品番号STK681-310パッケージ管部分の状態時代遅れ段階モ......

東芝IGBT力モジュールMG25Q6ES51 MG25Q6ES51 製品の説明 ブランド:東芝 モデル:MG25Q6ES51 部門:絶縁されたゲート（MOSFET） チャネル タイプ:Nチャネル 伝導:高められる 使用:Aは/広く拡大にバンドを付けます パッケージの輪郭.........

IKW25N120T2FKSA1 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜ぶ。ありがとう! プロダクト変数 部門 分離した半導体製品.........

ZFeng IGBT モジュール IGBTモジュール (隔離ゲート双極トランジスタモジュール)複数のIGBTチップ,フリーホイリングダイオード (FWD) および関連する駆動/保護回路を統合した電源半導体装置モジュールである.電力電子の変換と制御システムに広く適用されています. 1主要な構成.........

部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 MOSFET （金属酸化物） 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） 500V 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 48A （Tc） 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） 10V Vgs （（最高） Th） @ ID 4V @ ......

工場 高電圧 シリコン 熱保温シート 材料 MOSFETs & IGBTs の熱保温パッド TISTM100-02熱伝導性のある高効率の保温製品です熱伝導物質にシリカゲルによって作られた保温基膜の追加は,保温と熱伝導の両方に大きな効果を生み出します. TIS100-01-シリーズデー.........

HFはmosfet DC MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMAL機能の空気ポンプで造られた携帯用血しょう打抜き機に触れた CUT70 mosの打抜き機の特徴: 1. よりかわいい空気ポンプIGBT空気血しょうで造られるMUTTAHIDA MAJLIS-E-AMAL機能の打抜き機。 2. 高......