つながれたMOSFET/IGBTのゲート ドライブ変圧器FA2659-AL 0.5-8 Wの出力
型式番号:FA2659-AL
原産地:広東省中国
最低順序量:100/500/1000
支払の言葉:TTは、ペイパル
供給の能力:3000K.PCS/Month
受渡し時間:在庫か 3 週
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住所：
706、Huafa xiezilou、Huafa北路、Gongming Street、518106、SHEN ZHEN、中国
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内 1 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路
製品の説明:
変圧器によってつながれるMOSFETおよびIGBTのゲートのために設計されているゲート ドライブ変圧器ドライブ回路
特徴:
- 変圧器によってつながれるMOSFETおよびIGBTのゲートのために設計されているドライブ回路;動作周波数:50のkHzから2つのMHz。
- 分第一次2250 Vdc、1二次分離に
- 板スペースの56 mm2だけ要求する。
- 中心の物質的な亜鉄酸塩
- phosの青銅上のニッケル上の錫上の終了のRoHSの迎合的な錫銀
- 重量700 mg
- 周囲温度– 40°Cへの+125°C
- 保管温度の部品:– 40°Cへの+125°C。
- テープおよび巻き枠の包装:– 40°Cへの+80°C
- はんだ付けする熱最高の3つの40の第2退潮への抵抗の
+260°C、周期間の室温に冷却される部品 - 湿気感受性のレベル（MSL） 1 （<30°Cの無制限の床の生命/
85%の相対湿度） - 時間（適合）/平均故障間隔（MTBF）の失敗
Telcordia SR-332ごとに計算される1十億時間/26,315,789時間あたりの38 - 175/7の″の巻き枠の包装;750/13の″はプラスチック テープ巻き取る:24のmm幅、
0.4 mm、間隔12のmmのポケット厚い、深さ7.0 mmのポケット
部分 数 | 回転 比率 pri:秒 | 第一次 インダクタンス ± 20%年（mH） | 漏出 インダクタンス 最高（μH）
| 第一次 最高DCR （オーム） | 二次 最高DCR （オーム） | ボルト時間 プロダクト （V-μsec） | SRF 分 （MHz） | キャパシタンス 秒へのpri 最高（pF） |
| FA2659-AL | 1: 1 | 296.0 | 1.5 | 0.795 | 0.655 | 34.2 | 1.39 | 21.9 |
1. インダクタンスは100つのkHz、0.1 Vrms、0 Adcで測定した
2.漏出インダクタンスは100つのkHzで、二次ピンとの0.1 Vrmsショートした測定した。
3. SRFはAgilent/HP 4192か等量を使用してシリーズで接続されたコイルと測定した。
4.実用温度範囲−40°Cへの+125°C。
5. 25°C.の電気指定。
つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路
形および次元:
プロダクト映像:
つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路
命令する方法
1。私にあなたが必要とする部品番号かあなたのデータ用紙を送りなさい。
2。私達はあなたの参照のための取り替えの引用語句を提供する
3。試供品はあなたの承認のために利用できる。
4。テストするサンプルが多く順序に私達歩んだ後。
5。形式上のインボイスはあなたの確認のために送る
6。商品が終わった後、私達はあなたに商品を送り、追跡番号を言う。
7。私達は商品を受け取るまであなたの商品を追跡する。
注目:
1.サンプル順序は利用できる。
2.価格はたくさんの順序のために交渉可能である。
3.カスタマイズされた順序（OEM/ODM順序）は利用できる。
4.利用できる味のリストのための私達に連絡しなさい。国際的な証明:
1. ISO9001:2008年
2. UL
3.範囲
4. RoHs
私達のサービス:
1.出荷する前にテストされる100%
2。ハロー、Chilisin私達オンライン、Pluse、Coilcraftのための代わりを......同じ質よりよい価格持ちなさい
3.利用できる試供品
4.顧客に新しい設計を提供しなさい
つながれたMOSFET/IGBTのゲート ドライブ変圧器FA2659-AL 0.5-8 Wの出力
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