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部分の状態 | 活動的 | |
---|---|---|
FETのタイプ | N-Channel | |
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 500V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 48A (Tc) | |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 8mA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 8400pF @ 25V | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 520W (Tc) | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 100 mOhm @ 500mA、10V | |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | シャーシの台紙 | |
製造者装置パッケージ | SOT-227B | |
パッケージ/場合 | SOT-227-4のminiBLOC |