スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........
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スイッチ回路のためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスター TIP41C TIP42C 記述 この装置を可聴周波のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケージ、力の線形および転換の適用の.........
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SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターFMMT491トランジスター(NPN)を 特徴 低い同等のオン抵抗 印が付いていること:491 最高の評価(通知がなければTa=25℃) 記号変数価値単位VCBOコレクター基盤の電圧80VVCEOコレクター エミッターの電圧60VVEB.........
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2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3......
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ST13007Aの高圧FAST-SWITCHING NPN力トランジスター切換え力mosfet ■によって改善される指定: - LEAKAGECURRENTを下げて下さい - より堅い利益範囲 - DCの現在の利益予選 - より堅い貯蔵の時間範囲 ■の高圧機能 ■ NPNのトラン.........
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SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めるトランジスターA42トランジスター(NPN)を 特徴 低いCollector-Emitterの飽和電圧 高い絶縁破壊電圧 印:D965A 最高の評価(通知がなければTa=25℃) .........
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BUX48A TO-3の電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路BUX48A 指定項目価値D/C新しい条件原物型式番号BUX48AパッケージTO-3タイプ論理集積回路SブランドST適用ネットワーク コミュニケーションシリーズ集積回路記述標準的保証30~90日無鉛状態迎合的なROHSタイプ.......
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Infineon 600V Coolmos IPB60R099P7 600V 31A 77 MOhms Npn力トランジスター 適用 •懸命に転換PWMの段階および共鳴転換の段階 •アダプター、LCD&PDP TVの照明 記述 600V CoolMOSª P7力トランジスター C.........
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NPN低いVCESAT MOSFET力トランジスターPNP補足物PBSS4160T 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: NPN タイプの取付け: 表面.........
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PBSS5160TへのSOT23プラスチック パッケージPNPの補足物のPBSS4160T NPN低いVCEsatのトランジスター 特徴•低いコレクター エミッターの飽和電圧VCEsat•高いコレクター流れの機能ICおよびICM•高性能は、熱生成を減らします•必要なプリント回路板区域を減らします•中......
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MJ13333 スイッチモードシリーズ 20AMPERE NPN シリコン電源トランジスタ 400- 500VOLTS 175WATTS カテゴリー トランジスタ Mfr モトロラー シリーズ - 部品のステータス - マウント.........
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2N5551 / MMBT5551 NPNの一般目的のアンプMMBT5550LT1の高圧トランジスターNPNケイ素 SOT-23 -力トランジスターおよびDarlingtons 部品番号 BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T.........
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 相補型NPN-PNPトランジスタバイポーラディスクリート半導体製品 相補型パワートランジスタ 説明: デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトの平面技術で製造されています。結果として得ら.........
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製品の説明 TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 補足NPN - PNPのトランジスター両極分離した半導体製品 補足力トランジスター 記述: 装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生.........
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SOT-89 D882 プラスチック製のトランジスタ 特徴 電力消耗 最大限 格付け (T)a は=25°C さもなければ 注記) シンボル パラメータ 価値 ユニット VCBO コレクターベース電圧 40 V V代表取締役 コレクター・エミッター・ボルト 3.........
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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........
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高い発電NPNのエピタキシアル平面の両極トランジスターd1047 b817 製品の説明 記述装置は新しいビットLA (線形アンプのための両極トランジスター)の技術を使用して製造されたNPNのトランジスターである。生じるトランジスターよい利益直線性の行動を示す。 特徴- 高い絶縁破壊電圧VCEO =.......
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穴力ダーリントンによるTIP127ダーリントンのトランジスターPNP 低電圧補足力のダーリントンのトランジスター 特徴•低いcollector-emitterの飽和電圧 •補足NPN - PNPのトランジスター 適用 •一般目的の線形および転換 記述 装置は「基.........
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MMBT3904 1AM SOT23のトランジスターとの信頼できる電源の維持を得なさい高いサージ電流の機能の転換回路区域のための有効な、耐久のトランジスター 電源の維持のための信頼でき、有効な電圧安定器の破片を必要としてあるか。MMBT3904 1AM SOT23のトランジスターよりそれ以上.........
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