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SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターFMMT491トランジスター（NPN）を
低い同等のオン抵抗
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 80 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 60 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 5 | V |
| IC | コレクター流れ | 1 | A |
| ICM | ピーク脈拍の流れ | 2 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 250 | MW |
| RΘJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 500 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=100μA、すなわち=0 | 80 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO1 | IC=10mA、IB=0 | 60 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=100ΜA、IC=0 | 5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=60V、すなわち=0 | 0.1 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=4V、IC=0 | 0.1 | μA | ||
DCの現在の利益 | hFE （1） | VCE=5V、IC=1mA | 100 | |||
| hFE （2） 1 | VCE=5V、IC=500mA | 100 | 300 | |||
| hFE （3） 1 | VCE=5V、IC=1A | 80 | ||||
| hFE （4） 1 | VCE=5V、IC=2A | 30 | ||||
コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） 1 1 | IC=500mA、IB=50mA | 0.25 | V | ||
| VCE （坐る） 2 1 | IC=1A、IB=100mA | 0.5 | V | |||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） 1 | IC=1A、IB=100mA | 1.1 | V | ||
| 基盤エミッターの電圧 | 1 VBE | VCE=5V、IC=1A | 1 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=10V、IC=50mA、f=100MHz | 150 | MHz | ||
| コレクターの出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=10V、f=1MHz | 10 | pF |
、脈拍width=300μs脈打った条件の下で測定されるの義務cycle≤2%。
典型的なCharacterisitics
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
| b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
| D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
| e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
| L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
| L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |