high voltage bipolar transistor

製品説明: 高圧MOSFETを紹介します MOS-Gateトランジスタは 超高圧アプリケーションのために特別に設計されています産業用切換電源この装置は,低電圧の電源システムおよび電源システムアプリケーションに適しています.低流出量は1μA未満に達し,低電源抵抗を持つN型です.このデバイスは,あら........

製品の説明 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJTRoHS: RoHSの迎合的な細部 様式の取付け: SMD/SMT パッケージ/場合: SOT-23 トランジスター極性: PNP 構成: 単一 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: - 40ボルト コレクターの基礎電圧VCBO: - 4......

OEM高圧Mosfetのトランジスター/AP10H03DF Uhf力トランジスター 高圧Mosfetのトランジスター記述: AP10H03DFは高性能の堀です極度で高い細胞密度のN CH MOSFETs、優秀なRDSONを提供し、充満をゲートで制御するかどれが小さい力の切換えのほとん.........

多目的低オン抵抗電圧 MOSFET トランジスタ 製品説明: MOSFET の低オン抵抗は,電源の損失を最小限に抑え,電源スイッチ回路の効率を向上させる.高速なスイッチ速度により,高いスイッチ周波数,照明用に使用するのに適しているMOSFETは,厳しい運用条件下で信頼性を確保するために100%の........

FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

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IRFZ44N -電子工学の熱狂者のための最終的な力MOSFETIRFZ44Nの賛否両論を発見し、あなたのプロジェクトに今日権限を与えなさい 高性能MOSFETのトランジスターを捜している電子工学の熱狂者であるか。IRFZ44Nよりそれ以上に見てはいけない。この強力な装置は電源および運動制御.........

B2Bのバイヤーのための新しい絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）製品の説明: 絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）は一般目的の適用の使用のために設計されている絶縁されたゲートが付いている新しく、多目的な電子デバイスである。この装置は正常な電圧が要求される要求の適用の.........

JAN2N2222A 双極トランジスタ - BJT 50 V 小信号 BJT 製造者: マイクロチップ 製品カテゴリー: 双極トランジスタ - BJT RoHS について N テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-18-.........

SOT-23両極トランジスター トランジスター（NPN） 特徴 概要AFの適用のため 高いコレクター流れ 高い現在の利益 低いコレクター エミッターの飽和電圧 機械データ 場合:形成されたプラスチック エポキシ:UL 94V-O率の炎-抑制剤 鉛:保証されるM.........

穴の原物によって単一JAN2N2907A BJTsの両極トランジスターPNP 製品特質 属性値 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: N 様式の取付け:.........

G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御.........

GT20J101東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した 高い発電の転換の適用 •第3生成•強化モード •高速:tf = 0.30のµs （最高） •低い飽和電圧:VCE （坐る） = 2.7ボルト（最高） 特徴 記号 評価 単位 Collector-emitter電圧 ......

両極トランジスター- BJTの両極トランジスターNPN SOT-23 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: 組み込まれるダイオード 製品カテゴリ: 両極トランジスタ.........

元の2SC4468 2北極のトランジスターTO-3-3 製品の説明: 1. TO-3P NPN 140V 10A 2. 2SC4468両極トランジスター 3. 穴を通した両極（BJT）トランジスターNPN 140v 10a 20 MHz 100Wに3p 4. TRANS GP BJT NP.........

ROHM UTC ICS 2SC4505 T100Q 双極トランジスタ - BJT ROHS 2SB1424 PNP 低VCE (sat) トランジスタ 製品パラメータ 製造者: ROHM 半導体 製品カテゴリー: 双極トランジスタ - BJT RoHS について 詳細 マ.........

航空部品2N2907Aの両極トランジスター コレクターのエミッターの電圧60 V 航空部品の記述: 2N2905Aおよび2N2907AはJedec TO-39 （2N2905Aのために）とJedec TO-18の（2N2907Aのために）金属の場合のケイ素平面のエピタキシアルPNPのトランジスター.......

MMUN2233LT1Gバイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 246 mW 表面マウント SOT-23-3 (TO-236) カテゴリー 離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジス.........

ULN2003ADR ICの破片の高圧高現在のダーリントンのトランジスター配列 両極（BJT）トランジスター配列7 NPNダーリントン50V 500mA 16-SOIC 製造業者 テキサス・インスツルメント シリーズ -.........

LTV-356T-D力のアイソレーターICのIndustry-Leading絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）運転者 プロダクト:LTV-356T-D力のアイソレーターIC 特徴:•最高定常電圧:50V•最大出力の流れ:1.5A•実用温度範囲:-40°C.........