GT20J101サイリスタのモジュールによって絶縁されるゲートの両極トランジスター ケイ素Nチャネル
型式番号:GT20J101
原産地:中国
最低順序量:10個
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
供給の能力:10000PCS
受渡し時間:在庫あり
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
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製品詳細
会社概要
製品詳細
GT20J101東芝によって絶縁されるゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBT
高い発電の切換えの適用
•第3生成•強化モード
•高速:tf = 0.30のµs （最高）
•低い飽和電圧:VCE （坐る） = 2.7ボルト（最高）
| 独特 | 記号 | 評価 | 単位 |
| コレクター エミッターの電圧 | VCES | 600 | V |
| ゲート エミッターの電圧 | VGES | +-20 | V |
| コレクター流れDC | IC | 20 | A |
| コレクター流れ1氏 | ICP | 40 | A |
| コレクターの電力損失（Tc = 25°C） | PC | 130 | W |
| 接合部温度 | Tj | 150 | °C |
| 保管温度の範囲 | Tstg | −55~150 | °C |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
www.icmemorychip.com
電子メール:sales@deli-ic.com
Skype:hksunny3
TEL:86-755-82539981
GT20J101サイリスタのモジュールによって絶縁されるゲートの両極トランジスター ケイ素Nチャネル
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