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GT20J101東芝によって絶縁されるゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBT
高い発電の切換えの適用
•第3生成•強化モード
•高速:tf = 0.30のµs （最高）
•低い飽和電圧:VCE （坐る） = 2.7ボルト（最高）
| 独特 | 記号 | 評価 | 単位 |
| コレクター エミッターの電圧 | VCES | 600 | V |
| ゲート エミッターの電圧 | VGES | +-20 | V |
| コレクター流れDC | IC | 20 | A |
| コレクター流れ1氏 | ICP | 40 | A |
| コレクターの電力損失（Tc = 25°C） | PC | 130 | W |
| 接合部温度 | Tj | 150 | °C |
| 保管温度の範囲 | Tstg | −55~150 | °C |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
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