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h ブリッジモスフェット運転手

1 - 20 の結果 h ブリッジモスフェット運転手 から 188 製品

集積回路の破片A4989SLDTR-T二重完全な橋MOSFETの運転者IC TSSOP38 A4989SLDTR-Tの製品の説明 A4989SLDTR-Tは高い発電の産業両極2フェーズ ステッピング モーター(500 W)の広い範囲をへの普通30運転するために適した統合されたm.........

Time : Apr,21,2025
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allegro a3941klptr-t HTSSOP28の電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路A3941KLPTR-T 指定 項目 価値 D/C 新しい...

Time : Nov,24,2024
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IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........

Time : Jun,12,2024
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DRV8908QPWPRQ1半分橋(8)運転者DCモーター、一般目的MOSFET (金属酸化物) 24-HTSSOP 特徴 •AEC-Q100は自動車適用のために修飾した •4、6、8、10そして12半橋出力 •32-V作動の電圧への4.5-V – 40-V絶対最高の電圧.........

Time : Nov,25,2024
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IRS 2101 STRPBFの半導体ICの破片 抵抗のMOSFETの運転者の高い現在の高速低速 プロダクト リスト: IRS2101STRPBFの半導体ICの破片 記述: IRS2101S......

Time : Nov,30,2024
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JY12M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル30VMOSFET 一般的な説明 JY12Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです高密度細胞のDMOS溝技術を用いて作られています状態の抵抗を最小限に抑えるために特別に設計されています.携帯電話やノートP.........

Time : Dec,10,2024
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NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章: NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

Time : Nov,29,2024
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IR2153STRPBF IR2153S半橋ゲートの運転者IC RCの入力回路8-SOIC 運転された構成 半橋 チャネル タイプ 同期 運転者の数 2 ゲートのタイプ NチャネルMOSFET 電圧-供給 10V | 15.6V 論理の電圧- VIL、VIH - 現在-ピーク出力(源、流し) - 入......

Time : Nov,03,2023
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JY13M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル40V MOSFET 概説 JY13MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである優秀なRDS ()および低いゲート充満を提供できるかどれが。補足MOSFETsはH橋、インバーターおよび他の適用で使用されるかも.........

Time : Mar,18,2025
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非逆になる24-SOICを逆にするHIP4086ABZT半橋ゲートの運転者ICHIP4086およびHIP4086A (HIP4086/A)と3-phase N-channel MOSFETの運転者はある言われる。部品は両方ともPWMの運動制御のためにとりわけ目標とされる。これらの運転者にあらゆる可能......

Time : Jan,07,2025
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DRV8106-Q1ワイドコモンモードインライン電流検出アンプICを備えた自動車用ハーフブリッジスマートゲートドライバ 説明: DRV8106-Q1は、高度に統合されたハーフブリッジゲートドライバであり、ハイサイドおよびローサイドのNチャネルパワーMOSFETを駆動できます。ハイ.........

Time : Feb,03,2025
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トランジスター、耐久の高いAmpのトランジスターを使用するAP6H03S Mosfetの運転者 トランジスター記述を使用するMosfetの運転者: AP6H03Susesの高度の堀優秀なRDS ()および低いゲート充満を提供する技術。補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかも.........

Time : May,30,2024
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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

Time : May,30,2024
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ゲートの運転者VR12.5の同期木びき台MOSFETの運転者VR12.5の同期木びき台MOSFETの運転者 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: onsemi 製品カテゴリ: ゲートの運転者.........

Time : Nov,30,2024
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MIC5020YM-TR マイクロチップ IC ドライバ MOSF LO サイド HS 8-SOIC ゲート ドライバ高速ローサイド MOSFET ドライバ MIC5020YM メーカー: マイクロチップ製品タイプ: ドアドライバー製品: MOSFETゲートドライ.........

Time : Dec,01,2024
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DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

Time : Dec,04,2024
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TC4420 TC4429 6A高速MOSFETの運転者 特徴 保護された■の掛け金は............ >1.5Aの逆の出力電流に抗します ■の論理の入力は5Vまで否定的な振動に抗します ■ ESDによって保護される................................

Time : May,30,2024
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プロダクト細部 部門集積回路(IC)PMIC -ゲートの運転者製造業者インフィニオン・テクノロジーズ包装 テープ及び巻き枠(TR)部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理......

Time : Dec,02,2024
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