Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.

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IRS2181STRPBFの集積回路の破片非8-SOICを逆にする半分橋ゲートの運転者IC

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IRS2181STRPBFの集積回路の破片非8-SOICを逆にする半分橋ゲートの運転者IC

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型式番号 :IRS2181STRPBF
原産地 :米国
最低順序量 :2500
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :2500
包装の細部 :バルク
受渡し時間 :5-8の仕事日
製品名 :IRS2181STRPBF
ロジック電圧 - VIL、VIH :0.8V、2.5V
電流 - ピーク出力 (ソース、シンク) :1.9A、2.3A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)\ :600V
電圧-供給 :10V~20V
パッケージ/場合 :8-SOIC (0.154インチ、幅3.90mm)
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IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC

記述

IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3ボルトの論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600までV.作動させる高側の構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。

 

特徴
•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
•+600ボルトに完全に機能した
•否定的で一時的な電圧、dV/dtimmuneに耐久性がある
•10ボルトからの20ボルトへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
•3.3互換性があるVおよび5ボルトの入力論理
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•論理および力の地面+/- 5ボルトのオフセット
•よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者
•出力源/流しの現在の機能1.4 A/1.8 A
•迎合的なRoHS

 

IRS2181STRPBFの指定

部門
集積回路(IC)
力管理(PMIC)
ゲートの運転者
Mfr
国際的な整流器
シリーズ
-
プロダクト状態
活動的
運転された構成
半橋
チャネル タイプ
独立した
運転者の数
2
ゲートのタイプ
IGBT、N-Channel MOSFET
電圧-供給
10V | 20V
論理の電圧- VIL、VIH
0.8V、2.5V
現在-ピーク出力(源、流し)
1.9A、2.3A
入れられたタイプ
非逆になること
最高高い側面の電圧- (ブートストラップ)
600ボルト
上昇/落下の時間(タイプ)
40ns、20ns
実用温度
-40°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
製造者装置パッケージ
8-SOIC

 

原物

 

私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。

 

価格

 

私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。

 

トランザクション

 

コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。

 

納入サイクル

 

同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。

 

輸送

 

私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。

 

包装

 

あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。

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