h bridge inverter circuit using mosfet

一般的な説明: JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電........

JY12M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル30V MOSFET 概説 JY12MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである高い細胞密度DMOSの堀の技術を使用して作り出される。高密度これプロセスは特にオン州の抵抗を最小にするために合う.........

集積回路チップ UCC27200QDDARQ1 ハーフブリッジ ゲート ドライバ IC 非反転 UCC27200QDDARQ1の製品説明 UCC27200QDDARQ1 は高周波 N チャネル MOSFET ドライバで、120 V ブートストラップ ダイオードと、制御の柔軟性を最.........

製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回........

380V/330AのDCインバーター、Mosfetの技術携帯用MMA/Arcの溶接機/用具の溶接工Arc400 MMA/Arcの溶接機の特徴:1.簡単な回路および強いanti-interferenceある成長した全橋倍IGBTモジュール回路を採用する。2.防水の、防風およびちり止めの設計の溶接機の有......

HIP4082IPZ半橋ゲートの運転者IC非逆になる16-PDIPHIP4082は16鉛の中間周波数の、中型の電圧H橋N-Channel MOSFETの運転者IC、利用できるプラスチックSOIC （n）およびすくいのパッケージである。具体的にはPWMの運動制御およびUPSの塗布のために目標とされて、......

IR2110半橋ゲートの運転者IC非逆になる14-DIPを示すIR2110PBF 運転された構成 半橋 チャネル タイプ 独立した 運転者の数 2 ゲートのタイプ IGBT、NチャネルMOSFET 電圧-供給 3.3V | 20V 論理の電圧- VIL、VIH 6V、9.5V 現在-ピーク出力（源、......

IRF100S201 100%オリジナルMOSFET MOSFET、100Vの192A 4.2 mOhm、170 NC Qg 1.適用 ブラシをかけられたモーター ドライブ塗布BLDCモーター ドライブ塗布電池式回路半橋および全橋地勢学同期整流器の塗布共鳴モード電源Oリングおよび余分な電源スイッ........

JY13M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル40VMOSFET 一般的な説明 JY13Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです優れたRを供給することができますDS (オン)補完的なMOSFETはHブリッジ,インバーター,その他のアプリケーションで使用できる........

1200V 75A PIM 電界効果トランジスタ 力モジュール IC 7MBR75UB120-50 IGBT モジュールの運転者 7MBR75UB120-50 IGBT モジュール（U シリーズ） 1200V/75A/PIM 特徴 。 低い VCE （坐.........

ISO9001.pdf 適用: IPD320N20N3Gは,高効率DC-DC変換器およびインバーターアプリケーションに使用されるNチャネルMOSFETトランジスタです.高電圧で動作できます.低伝導抵抗と高スイッチ速度.結論: IPD320N20N3Gは高効率,高電圧,低導電抵抗の特徴があり,高功率D......

380VはDC省エネの黒い色の整流器に3段階12v 500a ACを入れました DCの整流器の特徴へのAC: DCの整流器への全ACの性能が安定しているようにDCの整流器への私達のACは有名なブランドの部品を使用し、機械で造る精密の国際的な高度の完全な橋インバーター技術は、質より信頼で.........

製品説明 ピン・ブレージング・マシン RSN-301 自給自足,電源接続は必要ない 単一電池充電で最大500回 M10を溶接する 11kg軽量 (バッテリー付き) 1.0 紹介 RSN-301は,先端のインバーター技術を使用しています.制御回路の新しいデザインは,フィールド鉄道,橋.........