ISO9001.pdf
適用: IPD320N20N3Gは,高効率DC-DC変換器およびインバーターアプリケーションに使用されるNチャネルMOSFETトランジスタです.高電圧で動作できます.低伝導抵抗と高スイッチ速度.
結論: IPD320N20N3Gは高効率,高電圧,低導電抵抗の特徴があり,高功率DC-DCコンバーターおよびインバーターに適しています.システムのエネルギー効率を向上させる電力損失を削減し,使用寿命が長くなります
パラメーター:
Vds (最大) =200V (最大耐電圧)
Id=320A (最大排出電流)
Rds (オン) = 3.3m Ω (導電抵抗)
Qg=230nC (ゲート充電)
Vgs (th) = 4V (ゲートスロージングル電圧)
Ciss=12300pF (入力容量)
Coss=1170pF (出力容量)
Crss=570pF (逆送電容量)
| 製品技術仕様 |
|
| |
|
| EU RoHS |
免除聽 に準拠する |
| ECCN (アメリカ) |
EAR99 |
| 部品のステータス |
確認されていない |
| SVHC |
そうだ |
| SVHC 制限値を超え |
そうだ |
| 自動車 |
違う |
| PPAP |
違う |
| 製品カテゴリー |
パワー MOSFET |
| 構成 |
シングル |
| プロセス技術 |
オプティモス 3 |
| チャンネルモード |
強化 |
| チャンネルタイプ |
N |
| チップ1個あたりエレメント数 |
1 |
| 最大排水源電圧 (V) |
200 |
| ゲートソースの最大電圧 (V) |
¥20 |
| 最大ゲートスリージングル電圧 (V) |
4 |
| 交差点の動作温度 ( capturC) |
-55から175 |
| 最大連続流出電流 (A) |
34 |
| 最大ゲートソース漏電電 (nA) |
100 |
| 最大IDSS (uA) |
1 |
| 最大排水源抵抗 (MOhm) |
32@10V |
| 典型的なゲートチャージ @ Vgs (nC) |
22@10V |
| 典型的なゲート充電 @ 10V (nC) |
22 |
| 典型的なゲート・トゥ・ドレイン・チャージ (nC) |
3 |
| 典型的なゲート・トゥ・ソース・チャージ (nC) |
8 |
| 典型的な逆回収料金 (nC) |
500 |
| 典型的なスイッチ充電 (nC) |
5 |
| 典型的な入力容量 @ Vds (pF) |
1770@100V |
| 典型的な逆転送容量 @ Vds (pF) |
4@100V |
| 最低ゲートスリージングル電圧 (V) |
2 |
| 典型的な出力容量 (pF) |
135 |
| 最大電力の分散 (mW) |
136000 |
| 典型的な秋時間 (ns) |
4 |
| 典型的な上昇時間 (ns) |
9 |
| 典型的な切断遅延時間 (ns) |
21 |
| 典型的なオンアップ遅延時間 (ns) |
11 |
| 最低動作温度 ( capturC) |
-55歳 |
| 最大動作温度 ( capturC) |
175 |
| パッケージ |
テープ と リール |
| 最大パルス排出電流 @ TC=25 capturC (A) |
136 |
| PCBの最大交差点環境熱抵抗 ( capturC/W) |
50 |
| 典型的なダイオード前向き電圧 (V) |
0.9 |
| 典型的なゲートプレート電圧 (V) |
4.4 |
| 典型的な逆回復時間 (ns) |
110 |
| 最大ダイオード前向き電圧 (V) |
1.2 |
| 標準的なゲートスロージングル電圧 (V) |
3 |
| 最大正門源電圧 (V) |
20 |
| マウント |
表面マウント |
| パッケージの高さ |
2.41 (最大) |
| パッケージの幅 |
6.22 (最大) |
| パッケージの長さ |
6.73 (最大) |
| PCBが変わった |
2 |
| タブ |
タブ |
| 標準パッケージ名 |
TO-252 |
| 供給者 パッケージ |
DPAK |
| ピン数 |
3 |
| 鉛の形状 |
クラゲの翼 |
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