3段階30A Hのブリッジ・サーキットのBldc Mosfetの運転者

型式番号:JY12M
最低順序量:1セット
包装の細部:PE BAG+のカートン
原産地:中国
受渡し時間:5-10日
支払の言葉:T/T、L/C、Paypal
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確認済みサプライヤー
Changzhou Jiangsu China
住所: 8号 天山道路,新北地区,チャン州,江蘇,中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 31 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

JY12M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル30V MOSFET

 

 

 

概説


JY12MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである
高い細胞密度DMOSの堀の技術を使用して作り出される。高密度これ
プロセスは特にオン州の抵抗を最小にするために合う。これらの装置はある
携帯電話およびノートのような低電圧の適用に特に適されて
コンピュータ力管理および他の電池式回路高側
切換えおよび低いインライン電源切れは非常に小さい輪郭の表面で必要である
台紙のパッケージ。


特徴

装置RDS () MAXIDMAX (25ºC)
N-Channel20mΩ@VGS=10V8.5A
32mΩ@VGS=4.5V7.0A
P-Channel45mΩ@VGS=-10V-5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V-4.1A


●低い入れられたキャパシタンス
●速い切り替え速度


適用
力管理
●DC/DCのコンバーター
●DCの運動制御
●LCD TV及びモニターの表示インバーター
●CCFLインバーター

 

絶対最高評価(通知がなければTa=25ºC)

変数記号NチャネルPチャネル単位
10秒安定した10秒安定した
源の電圧を流出させなさいVDSS30-30V
ゲート源電圧VDSS±20±20
連続的
現在を流出させなさい
Ta=25 ºCID8.56.5-7.0-5.3
Ta=70 ºC6.85.1-5.5-4.1
脈打った下水管の流れIDM30-30
最高力
消滅
Ta=25 ºCPD1.5W
Ta=70 ºC0.95
作動の接続点
温度
TJ-55から150ºC
熱抵抗
包囲されたへの接続点
RθJA6110062103ºC/W
熱抵抗
包装するべき接続点
RθJC1515ºC/W


電気特徴(通知がなければTa=25ºC)

記号変数条件タイプ最高単位
空電
VGS (Th)ゲートの境界
電圧
VDS =VGS、ID =250UAN CH1.01.53.0V
VDS =VGS、ID =-250UAP CH-1.0-1.5-3.0
IGSSゲートの漏出
現在
VDS =0V、VGS =±20VN CH±100nA
P CH±100
IDSSゼロ ゲートの電圧
現在を流出させなさい
VDS =30V、VGS =0VN CH1uA
VDS =-30V、VGS =0VP CH-1
ID ()オン州の下水管
現在
VDS ≥5V、VGS =10VN CH20
VDS ≤-5V、VGS =-10VP CH-20
RDS ()下水管源
オン州
抵抗
VGS =10V、ID =7.4AN CH1520
VGS =-10V、ID =-5.2AP CH3845
VGS =4.5V、ID =6.0AN CH2332
VGS =-4.5V、ID =-4.0AP CH6585
VSD前方ダイオード
電圧
=1.7A、VGS =0VはあるN CH0.81.2V
=-1.7A、VGS =0VはあるP CH-0.8-1.2


 

ダウンロードJY12Mの利用者マニュアル

JY12M.pdf

China 3段階30A Hのブリッジ・サーキットのBldc Mosfetの運転者 supplier

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