gan on sic

4inch 6inch GaN SiC EPIの層のウエファーGaN Si EPIの層のウエファー 約GaN SIC特徴GaN GaNで導入しなさい GaNのエピタキシアル ウエファー:異なった基質に従って、それは4つのタイプに主に分けられる:GaN Si、GaN SiC.........

2インチガナシ基板テンプレート,LED用のガナシ基板,LD用の半導体ガリウムナイトリド用のガナシ基板,mcvdガナシ基板,自由立体ガナシ基板,カスタマイズされたサイズ,LED用の小型ガナシ基板,mocvd ガリウムナイトリドウーフ 10x10mm,5x5mm,10x5mmのガナウエフ,非極性フリー.......

ワイヤレス通信モジュール QPA2511 100 ワット 50 ボルト GaN On SiC パワーアンプ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!!.........

HMC544AE RF力トランジスター 特徴: - 高出力力:典型的な28 dBm - 高利得:典型的な14 dB - 低雑音図:典型的な2 dB - 優秀な直線性 - 広い帯域幅:600のMHz - 迎合的なRoHS パッケージ:表面の台紙、4鉛SOT-363.........

製品の説明PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水晶ウエファーの加工技術はGaNのエピタクシー装置、力装置、高温装置および光電子工学装置で加えられ......

QPA2933 RFのアンプ2.9-3.3GHz 60W GaN PA OVMQorvo QPA2933 Sバンド60W GaN電力増幅器 Qorvo QPA2933 Sバンド60W GaN電力増幅器は2.9GHzへの3.3GHzのために62%パワー加えられた効率を達成している間最大限に活用さ.........

高純度 緑色/黒色 シリコン・カービッド粉末/パウダー Sic 16#~2000# 記述: シリコンカービッドは,炭素とシリコンから成る化合物半導体材料である.シリコンカービッド (SiC),ガリウムナイトリド (GaN),アルミナイトリド (ALN),ガリウム酸化物 (Ga2O3),な.........

製品説明: GT-UVV-LW InGaN ベースのUV光二極光電モード操作 特徴: 概要: インディウムガリウムナイトリドベースの材料 l 光伏モードでの動作 l TO-46 メタルホイジング l 高い応答性と低いダーク電流 応用:UVLEDモニタリング,UV放射線量測定,UVキュリング パラ........

ZnOのウエファー、CDのウエファー、CdSeのウエファー、CdTeのウエファー、ZnSのウエファー、ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー 私達は力装置、LED、センサーおよび探知器の塗布に高い純度の単結晶ZnOのウエファーおよびZnOの大きさを提供する。理想的な結晶構造によって、ZnOの......

QPD1016 RF JFET トランジスタ DC-1.7 GHz 500W 50V GaN RF Tr 製造者: コルボ 製品カテゴリー: RF JFETトランジスタ RoHS について 詳細 トランジスタタイプ: HEMT テクノロジー GaN SiC.........

ICの集積回路UCC5350MCDR SOIC-8はゲートの運転者を隔離した 製品の説明: UCC53x0はMOSFETsを、IGBTs運転するように、設計されている単一チャネルの、隔離されたゲートの運転者SiCのMOSFETsおよびGaNのFETs （UCC5350SBD）の系列である。.........